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龙图腾网恭喜德州仪器公司申请的专利半导体装置与烧结纳米粒子的连接获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112930588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980067473.4，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权半导体装置与烧结纳米粒子的连接是由张荣炜;维卡斯·古普塔设计研发完成，并于2019-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置与烧结纳米粒子的连接在说明书摘要公布了：在所描述的实例中，一种封装装置100包含具有装置安装表面的衬底101，所述衬底101具有在所述装置安装表面上彼此间隔的具有第一厚度的导电凸区103。第一聚合物层105在所述导电凸区103之间安置于所述装置安装表面上，所述第一聚合物层105具有等于所述第一厚度的第二厚度。所述导电凸区103具有不被所述第一聚合物层105覆盖的外表面。第二聚合物层107安置在所述第一聚合物层105上，所述导电凸区103的所述外表面不被所述第二聚合物层107覆盖。导电纳米粒子材料109安置在所述导电凸区103的所述外表面上。第三聚合物层111在所述导电凸区103上的所述导电纳米粒子材料109之间安置于所述第二聚合物层107上。至少一个半导体装置裸片121安装到所述第三聚合物层111，所述至少一个半导体装置裸片121具有接合到所述导电纳米粒子材料109的电端子123。

本发明授权半导体装置与烧结纳米粒子的连接在权利要求书中公布了：1.一种封装半导体装置，其包括：衬底，其具有装置安装表面及相对表面，所述衬底具有在所述装置安装表面上彼此间隔的具有第一厚度的导电凸区；第一聚合物层，其在所述导电凸区之间并围绕所述导电凸区位于所述衬底的所述装置安装表面上，且具有等于所述导电凸区的所述第一厚度的第二厚度，所述导电凸区具有不被所述第一聚合物层覆盖的外表面，所述第一聚合物层的外表面与所述导电凸区的外表面形成共同表面；第二聚合物层，其在所述第一聚合物层上，所述第二聚合物层具有第三厚度，所述导电凸区的所述外表面不被所述第二聚合物层覆盖；导电纳米粒子材料，其在所述导电凸区的所述外表面上且具有等于所述第三厚度的第四厚度，所述第二聚合物层的外表面与所述导电纳米粒子材料的外表面形成共同表面；第三聚合物层，其在所述导电凸区上的所述导电纳米粒子材料之间位于所述第二聚合物层上，所述导电纳米粒子材料具有从所述第三聚合物层暴露的表面；及至少一个半导体装置裸片，其安装到所述第三聚合物层且具有接合到所述导电纳米粒子材料的电端子。

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