恭喜长鑫存储技术有限公司吴秉桓获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112992829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911212672.8,技术领域涉及:H01L23/488;该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴秉桓设计研发完成,并于2019-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种半导体结构及其制备方法;包括:支撑层,包括焊盘区域;支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽,凹槽底部的宽度大于凹槽开口的宽度;焊垫,位于支撑层上,且位于焊盘区域内,焊垫部分嵌入凹槽内。上述半导体结构中焊垫嵌入凹槽的部分与凹槽下部的侧壁之间可以有空气腔,在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来,被排挤开来的焊垫会进入空气腔内,可以避免保护层向上掀开或裂开,防止焊垫外溢,从而确保产品的品质;同时,因为焊垫会在焊线键合工艺时进入空气腔内,会增加焊垫与支撑层的接触面积,从而会增强整体结构的稳定性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:支撑层,包括焊盘区域;所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽,所述凹槽底部的宽度大于所述凹槽开口的宽度;焊垫,位于所述支撑层上,且位于所述焊盘区域内,所述焊垫部分嵌入所述凹槽内,所述焊垫嵌入所述凹槽的部分与所述凹槽的下部的侧壁具有空气腔。
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