恭喜索尼半导体解决方案公司渡部泰一郎获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211012575.6，技术领域涉及：H04N5/30；该发明授权成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置是由渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策设计研发完成，并于2018-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置在说明书摘要公布了：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量小于位于所述成像元件与相邻成像元件之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量。
本发明授权成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置在权利要求书中公布了：1.一种成像元件，其包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量小于位于所述成像元件与相邻成像元件之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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