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龙图腾网恭喜乐金显示有限公司申请的专利晶体管阵列基板和包括其的电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011377958.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权晶体管阵列基板和包括其的电子装置是由丁灿墉;李道炯;白朱爀设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管阵列基板和包括其的电子装置在说明书摘要公布了：提供了一种晶体管阵列基板和电子装置。第一有源层包括第一区域、与第一区域间隔开的第二区域以及设置在第一区域域第二区域之间的沟道区域。栅极绝缘膜设置在第一有源层上。栅电极设置在栅极绝缘膜上，以与第一有源层的沟道区域的一部分交叠。栅电极与第一有源层的第一区域和第二区域的至少一个区域的一部分交叠。防止了沟道区域的劣化。

本发明授权晶体管阵列基板和包括其的电子装置在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，包括：包括至少一个晶体管的面板；以及驱动所述面板的驱动电路，其中，所述面板包括：基板；设置在所述基板上的第一有源层，所述第一有源层包括第一区域、与所述第一区域间隔开的第二区域以及设置在所述第一区域与所述第二区域之间的沟道区域；设置在所述第一有源层上的栅极绝缘膜；所述至少一个晶体管的栅电极，其设置在所述栅极绝缘膜上并且与所述第一有源层的沟道区域的一部分交叠；设置在所述栅电极上的层间绝缘膜；设置在所述栅电极与所述层间绝缘膜之间的绝缘膜；以及所述至少一个晶体管的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在所述层间绝缘膜上并且彼此间隔开，其中，所述栅电极与所述第一有源层的第一区域和第二区域中的至少一个区域的一部分交叠，并且其中，所述绝缘膜与所述第一有源层的第一区域或第二区域的表面的一部分接触，并且与所述栅极绝缘膜的与所述第一有源层的第一区域和第二区域交叠的顶表面的一部分接触，其中，所述栅极绝缘膜与所述第一有源层的所述第一区域的仅一部分、所述沟道区域的整体以及所述第二区域的整体交叠，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度，所述绝缘膜包含氢，并且所述第一区域和所述第二区域通过所述绝缘膜中的氢扩散到所述第一有源层中而形成。

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