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龙图腾网恭喜洛阳中硅高科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶体沉积装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119082876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411586467.9，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种碳化硅晶体沉积装置及方法是由常卓明;张邦洁;万烨;陈辉;刘见华设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体沉积装置及方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及方法，包括：罩体和底盘；底盘与罩体的底端密封配合以形成一密封的沉积空间，通过设置多孔隔板将罩体内的沉积空间分为靠下的反应空间和靠上的补料空间，这样可单独向补料空间补充新鲜物料，不会和反应空间内的物料进行混合，且反应空间和补料空间可分别由对应的管路进料，从而将上部的新鲜物料经对应的导流孔补充到下部浓度低的位置，进而调整棒体拐角处的物料浓度，以尽量实现棒体拐角区域与其他区域晶体生长速度的一致性，从而提高棒体表面的晶体生长质量，有利于减少或者避免棒体表面晶体厚度不均出现的裂纹、倾倒等问题。

本发明授权一种碳化硅晶体沉积装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，包括：罩体和底盘；所述底盘与所述罩体的底端密封配合以形成沉积空间；所述底盘上至少布置有多个第一电极和多个第二电极，多个所述第一电极形成第一电极环，多个所述第二电极形成第二电极环，所述第二电极环包围所述第一电极环，所述第一电极上对应设置有第一棒体，相邻的两个所述第一棒体所述第二电极上对应设置内第二棒体；所述罩体内位于所述第一棒体和所述第二棒体的上方设置有多孔隔板，所述多孔隔板将所述沉积空间分为靠上的补料空间和靠下的反应空间；所述底盘中心穿插设置有第一进料管路，所述罩体的顶部连接有第二进料管路；所述第一进料管路用于向所述反应空间提供供料气体组分为碳源、硅源、和氢气的第一混合物料，所述第二进料管路用于向所述补料空间提供供料气体组分为单一的碳源、硅源或氢气或者碳源、硅源和氢气的第二混合物料；所述多孔隔板上设置有朝向所述第一棒体上端的第一导流孔以及朝向所述第二棒体上端的第二导流孔，所述第二导流孔相对于竖直方向的倾斜角度大于所述第一导流孔相对于竖直方向的倾斜角度，所述第一导流孔相对于竖直方向的第一倾斜角度为5°~45°，所述第二导流孔相对于竖直方向的第二倾斜角度为25°~60°，保证所述补料空间的气流进入所述反应空间时，顺沿着所述反应空间的气流方向流动，从而覆盖更大范围的所述反应空间，有利于提升碳化硅晶体的生长均匀性；所述第一导流孔与所述第一棒体的拐角处一一对应；和或，所述第一导流孔在所述底盘上的正投影位于所述第一棒体在所述底盘上的正投影的内侧，这样所述第一导流孔自上而下向远离所述多孔隔板中心的方向倾斜，能够使得补充的新鲜物料顺着所述第一导流孔向所述反应空间的周围分散至对应的棒体拐角区域；所述第二导流孔与所述第二棒体的拐角处一一对应；和或，所述第二导流孔在所述底盘上的正投影位于所述第二棒体在所述底盘上的正投影的内侧，这样所述第二导流孔自上而下向远离所述多孔隔板中心的方向倾斜，能够使得补充的新鲜物料顺着所述第二导流孔向所述反应空间的周围分散至对应的棒体拐角区域；还包括：控制模块；所述第二进料管路上设置相应的开关阀和计量部件；所述罩体的内侧壁上设置有膜厚检测部件，所述控制模块分别与所述膜厚检测部件、所述开关阀和所述计量部件电性连接，所述膜厚检测部件用于监测第一棒体和第二棒体上的晶体膜厚数据，所述控制模块用于根据获取的所述晶体膜厚数据调节所述开关阀的开闭以及所述计量部件的流量大小；所述晶体膜厚数据是指拐角处的晶体膜厚与该棒体上其余部分的晶体膜厚的差异。

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