广西云芯半导体科技有限公司庄家铭获国家专利权
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龙图腾网获悉广西云芯半导体科技有限公司申请的专利GaN HEMT芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222897481U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421642746.8，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型GaN HEMT芯片是由庄家铭;梁发权;邱德恒设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN HEMT芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种GaNHEMT芯片，包括外延层以及设于外延层上的隔绝层，隔绝层内设有间隔设置的若干栅极延伸部、若干漏极延伸部以及若干源极延伸部，栅极延伸部的上表面、漏极延伸部的上表面以及源极延伸部的上表面自隔绝层的上表面露出；漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部，每个漏极延伸部以及至少一个绝缘凸起部上均覆盖有漏极导线部以形成若干漏极导线部，每个源极延伸部上均覆盖有源极导线部以形成若干源极导线部，每个栅极延伸部上均覆盖有栅极导线部以形成若干栅极导线部。本实用新型通过在漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部并在漏极延伸部和绝缘凸起部上覆盖漏极导线部，从而加长漏极导线部的长度，使得GaNHEMT芯片能承受更大的电流。
本实用新型GaN HEMT芯片在权利要求书中公布了：1.GaNHEMT芯片，其特征在于，包括外延层以及设于所述外延层上的隔绝层，所述隔绝层内设有间隔设置的若干栅极延伸部、若干漏极延伸部以及若干源极延伸部，所述栅极延伸部的上表面、所述漏极延伸部的上表面以及所述源极延伸部的上表面自所述隔绝层的上表面露出；所述漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部，每个所述漏极延伸部以及至少一个绝缘凸起部上均覆盖有漏极导线部，每个源极延伸部上均覆盖有源极导线部，每个所述栅极延伸部上均覆盖有栅极导线部，所述隔绝层上设有保护层且所述保护层遮覆所述漏极导线部、所述源极导线部以及所述栅极导线部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广西云芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：530000 广西壮族自治区南宁市高新区高新三路46号南宁生态产业园B1栋厂房一层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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