广东省科学院半导体研究所王长安获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118851748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410879361.1，技术领域涉及：C04B35/475；该发明授权储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法是由王长安;苗向洛;庞利娟;刘宁炀;张振辉;张世邦;李祈昕;曾昭烩;陈志涛设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法，其中，储能陶瓷材料的通式为1‑yBi0.5Na0.51‑xAxDE3‑yG；其中，D为Ti元素，E为O元素；ADE3为能够提高Bi0.5Na0.5TiO3的稳定性的改性剂通式，以得到具有准同型相界的Bi0.5Na0.51‑xAxDE3；G为能够在所述准同型相界处引入的弛豫剂通式；x的取值范围为0.06≤x≤0.25，y的取值范围为0＜y≤0.18。由于Bi0.5Na0.5TiO3经过改性剂的改性后结构更加稳定了，并且还具有了准同型相界，使得可以通过在准同型相界中引入弛豫剂来提高材料的性能。
本发明授权储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法在权利要求书中公布了：1.储能陶瓷材料，其特征在于，所述材料的通式为1-yBi0.5Na0.51-xAxDE3-yG；其中，D为Ti元素，E为O元素；ADE3为能够提高Bi0.5Na0.5TiO3的稳定性的改性剂通式，以得到具有准同型相界的Bi0.5Na0.51-xAxDE3；G为能够在所述准同型相界处引入的弛豫剂通式；x的取值范围为0.06≤x≤0.25，y的取值范围为0＜y≤0.18；G为通式HJ0.7L0.3E3，H为Ca，J为Hf元素，L为Zr元素。
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