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西安中核核仪器股份有限公司黎建伟获国家专利权

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龙图腾网获悉西安中核核仪器股份有限公司申请的专利一种圆角式高纯锗探测器的高精度表征方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118839582B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410824725.6,技术领域涉及:G06F30/25;该发明授权一种圆角式高纯锗探测器的高精度表征方法是由黎建伟;杨博元;白瀚成;周旭明设计研发完成,并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

一种圆角式高纯锗探测器的高精度表征方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种圆角式高纯锗探测器的高精度表征方法,包括步骤:一、构建高纯锗探测器3D模型;二、选取特定能量射线进行蒙特卡罗抽样模拟;三、确定外死层参数调整方向并进行模型调整和蒙特卡罗模拟;四、选取最接近于真实实验数据的一组参数值作为高纯锗探测器的基准表征;五、圆角部死层非均匀调整和蒙特卡罗模拟;六、选取此时最接近于真实实验数据的一组参数值作为高纯锗探测器的高精度表征。本发明实现高纯锗探测器的精确建模,尤其是对圆角部分的晶体做了模型的建立,对于圆角死层做了相应的修正,减少了高纯锗探测器在低能端模拟结果的不精确性。

本发明授权一种圆角式高纯锗探测器的高精度表征方法在权利要求书中公布了:1.一种圆角式高纯锗探测器的高精度表征方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、构建高纯锗探测器3D模型:所述高纯锗探测器3D模型包括锗晶体3D模型和高纯锗探测器外部结构3D模型;所述锗晶体3D模型包括锗晶体4、附着在所述锗晶体4外的外死层和附着在所述锗晶体4内的冷指孔6内的内死层5;所述外死层包括顶死层1、侧向死层3以及连接顶死层1和侧向死层3的圆角部死层2;给定顶死层1、圆角部死层2、侧向死层3和内死层5的初始厚度构建高纯锗探测器3D模型;步骤二、选取特定能量射线进行蒙特卡罗抽样模拟;步骤三、确定外死层参数调整方向并进行模型调整和蒙特卡罗模拟;步骤四、选取最接近于真实实验数据的一组参数值作为高纯锗探测器的基准表征;步骤五、圆角部死层非均匀调整和蒙特卡罗模拟;步骤六、选取此时最接近于真实实验数据的一组参数值作为高纯锗探测器的高精度表征。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安中核核仪器股份有限公司,其通讯地址为:710061 陕西省西安市雁塔区小寨东路108号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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