台湾积体电路制造股份有限公司范根豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222897485U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421461768.4，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型半导体装置是由范根豪;苏郁迪;许胜福;徐浩桦设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体装置，包括n型埋入层、位于n型埋入层上方的p型井区、包括n型漏极区域的n型通道MOSFET、以及垂直NPNBJT。垂直NPNBJT所具有的集极为n型漏极区域，并且所具有的基极为p型井区。p型井区是浮动的。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一n型埋入层；一p型井区，位于上述n型埋入层上方；一n型通道金属氧化物半导体场效晶体管，包括一n型漏极区域；以及一垂直NPN双极性接面晶体管，所具有的一集极为上述n型漏极区域，并且所具有的一基极为上述p型井区，其中上述p型井区是浮动的。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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