恭喜台湾积体电路制造股份有限公司刘醇鸿获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222896685U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421202167.1，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型半导体封装是由刘醇鸿;吴志伟设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一元件晶粒；第二元件晶粒，堆叠在所述第一元件晶粒上；以及多个第一电连接件与多个第二电连接件，设置于第一与第二元件晶粒之间。多个第一电连接件的第一节距大于多个第二电连接件的第二节距。第一与第二电连接件分别包括焊料接点以及位于焊料接点的相对两侧的第一金属材料所构成的多层第一金属层。各第二连接件更包括由第二金属材料构成的至少一第二金属层。如此一来，具有较短节距的各第二电连接件中的焊料接点接触于较薄的第一金属层，其为造成侧向内缩的介金属化合物的材料源。基于缩减导致侧向内缩的材料源，可有效地防止具有较短节距的第二电连接件的严重颈缩或是断裂。
本实用新型半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，其特征在于，包括：第一元件晶粒；第二元件晶粒，堆叠在所述第一元件晶粒上；以及多个第一电连接件与多个第二电连接件，设置于所述第一元件晶粒与所述第二元件晶粒之间，其中所述多个第一电连接件的第一节距大于所述多个第二电连接件的第二节距，所述多个第一电连接件与所述多个第二电连接件分别包括焊料接点以及位于所述焊料接点的相对两侧的第一金属材料所构成的多层第一金属层，且各第二连接件更包括由第二金属材料构成的至少一第二金属层。
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