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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利高压直流挤包绝缘电缆空间电荷分布的计算方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116227126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211592515.6，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权高压直流挤包绝缘电缆空间电荷分布的计算方法及系统是由杜伯学;吴优;李忠磊;郑重设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压直流挤包绝缘电缆空间电荷分布的计算方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高压直流挤包绝缘电缆空间电荷分布的计算方法及系统，属于电气工程技术领域，先构建高压直流挤包绝缘电缆的绝缘层的非均质结构几何模型，再构建绝缘层的电荷输运模型，并基于绝缘层的晶区和无定形区的特性分别设定电荷输运模型的参数，得到晶区的第一电荷输运模型和无定形区的第二电荷输运模型，最后将非均质结构几何模型、第一电荷输运模型和第二电荷输运模型导入仿真软件进行仿真计算，得到绝缘层的空间电荷分布结果，从而在考虑绝缘层内部非均质结构的基础上进行空间电荷的分布计算，能够得到更加全面、准确的空间电荷分布结果。

本发明授权高压直流挤包绝缘电缆空间电荷分布的计算方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种高压直流挤包绝缘电缆空间电荷分布的计算方法，其特征在于，所述计算方法包括：构建高压直流挤包绝缘电缆的绝缘层的非均质结构几何模型；构建所述绝缘层的电荷输运模型，并基于所述绝缘层的晶区的特性设定所述电荷输运模型的参数，得到所述晶区的第一电荷输运模型，基于所述绝缘层的无定形区的特性设定所述电荷输运模型的参数，得到所述无定形区的第二电荷输运模型；所述电荷输运模型包括表征电子电荷的注入与抽出过程的肖特基注入电流密度表达式和抽出电流密度表达式，表征离子电荷的解离过程的杂质分子解离率表达式和杂质分子浓度变化表达式，以及表征电子电荷和离子电荷的输运特性机制；将所述非均质结构几何模型、所述第一电荷输运模型和所述第二电荷输运模型导入仿真软件进行仿真计算，得到所述绝缘层的空间电荷分布结果；所述构建高压直流挤包绝缘电缆的绝缘层的非均质结构几何模型具体包括：制作高压直流挤包绝缘电缆的绝缘层的样品；对所述样品进行检测，确定所述样品的尺寸、所述样品内的球晶数量以及所述样品内晶区与无定形区的体积比例；所述尺寸包括长度和宽度；根据所述尺寸绘制非均质结构几何模型的边界，在所述边界内随机设定多个Voronoi种子点，生成Voronoi图；根据所述体积比例在所述Voronoi图中的每一个Voronoi多边形中填充晶区和无定形区，得到所述非均质结构几何模型；所述Voronoi种子点的数量与所述球晶数量相同；所述Voronoi多边形中填充的无定形区环绕所述Voronoi多边形中填充的晶区设置。

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