买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜成都芯辰新能源科技有限公司申请的专利光子声子协同增效的异质结太阳电池溅射损伤修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211111610.X，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权光子声子协同增效的异质结太阳电池溅射损伤修复方法是由俞健;李君君设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本光子声子协同增效的异质结太阳电池溅射损伤修复方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光子声子协同增效的异质结太阳电池溅射损伤修复方法，包括在空穴选择性传输层或电子选择性传输层表面制备透明导电薄膜，高能粒子轰击对硅衬底造成溅射损伤；将已制备完成的异质结太阳电池采用光子与微波注入的声子强耦合柔和处理；本发明通过光子‑声子耦合柔和处理，不仅可在室温下完全修复溅射损伤，拓宽了磁控溅射技术的应用前景，并可降低界面缺陷态密度，改善载流子的提取能力，促进异质结太阳电池光电转换效率的提升，同时也为突破无掺杂异质结太阳电池的温度稳定性瓶颈提供了一种有效的解决方案。

本发明授权光子声子协同增效的异质结太阳电池溅射损伤修复方法在权利要求书中公布了：1.光子声子协同增效的异质结太阳电池溅射损伤修复方法，其特征在于，包括步骤：A1、对N型单晶硅衬底层进行损伤去除以及表面织构化；A2、在N型单晶硅衬底层双面均制备本征非晶硅薄膜层；A3、在非晶硅薄膜层任意一侧制备空穴选择性传输层；A4、在非晶硅薄膜的另一侧制备电子选择性传输层；A5、在空穴选择性传输层或电子选择性传输层表面制备透明导电薄膜，高能粒子轰击N型单晶硅衬底造成溅射损伤；A6、在透明导电薄膜表面制备金属电极，或在未设置透明导电薄膜的空穴选择性传输层或电子选择性传输层表面制备金属电极；A7、将异质结太阳电池采用光子与微波注入的声子强耦合柔和处理；光子与微波注入的声子强耦合处理的方法，包括声子-激子强耦合形成准粒子修复、光子-激子极化形成准粒子修复、声子-声子耦合形成准粒子修复、光子-光子极化子修复中的一种或几种的组合；微波注入的声子所需温度为25oC-100oC，微波注入声子的氛围为氢气、氮气、氩气、空气中的一种或几种的组合，声子-声子耦合中的声子分别处于不同的量子态；A8、溅射损伤被完全修复。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都芯辰新能源科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区天府二街138号3栋26楼2611号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。