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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111464285.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构是由张海苗;林源为;周赐设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构，其中加工方法包括：提供晶圆，晶圆的第一表面暴露出焊垫；在第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，布线层电连接焊垫；在第二表面上形成图案化的第二钝化层；以第二钝化层为掩膜，对晶圆进行第一组刻蚀步骤，以在晶圆上刻蚀形成非贯通孔，且非贯通孔的孔底与第一钝化层之间具有预设距离；继续对晶圆进行第二组刻蚀步骤，以形成贯通晶圆的硅通孔，其中，第一组刻蚀步骤的刻蚀深度和刻蚀速率均大于第二组刻蚀步骤的刻蚀深度和刻蚀速率；在硅通孔的底部填充介质层；回刻去除硅通孔位置处的介质层和第一钝化层，直至露出布线层；在硅通孔中形成金属柱，金属柱电连接布线层。

本发明授权半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的加工方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面暴露出焊垫；在所述第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，所述布线层电连接所述焊垫；在所述第二表面上形成图案化的第二钝化层；以所述第二钝化层为掩膜，对所述晶圆进行第一组刻蚀步骤，以在所述晶圆上刻蚀形成非贯通孔，且所述非贯通孔的孔底与所述第一钝化层之间具有预设距离；继续对所述晶圆进行第二组刻蚀步骤，以形成贯通所述晶圆的硅通孔，其中，所述第一组刻蚀步骤的刻蚀深度和刻蚀速率均大于所述第二组刻蚀步骤的刻蚀深度和刻蚀速率；采用等离子刻蚀工艺，在第五工艺条件下去除所述硅通孔中的聚合物；在所述硅通孔的底部填充介质层，所述介质层填补所述硅通孔底部周围的缺口；回刻去除所述硅通孔位置处的所述介质层和所述第一钝化层，直至露出所述布线层，形成最终的硅通孔，填补所述缺口位置的介质层保留在最终的硅通孔的侧壁上；在所述硅通孔中形成金属柱，所述金属柱电连接所述布线层；其中，所述在所述硅通孔的底部填充介质层，包括：采用溶胶凝胶法制备胶液；通过浸渍提拉法在所述晶圆表面涂抹上所述胶液；对涂抹所述胶液的晶圆进行热处理。

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