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龙图腾网恭喜隆达电子股份有限公司申请的专利增进接合良率的发光二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011370964.7，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权增进接合良率的发光二极管结构是由郭修邑设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本增进接合良率的发光二极管结构在说明书摘要公布了：一种增进接合良率的发光二极管结构，包括发光二极管、多个接触电极、绝缘层结构以及多个接合电极。发光二极管的一面包括凸台结构。接触电极设置在凸台结构上，且于俯视时为彼此分离。绝缘层结构设置在接触电极上。接合电极设置在绝缘层结构上并分别覆盖至少一个接触电极。接合电极远离发光二极管的一面具有第一平台和第二平台。第二平台位于第一平台上且相较于第一平台远离凸台结构。第二平台在发光二极管上的垂直投影的表面积小于第一平台在发光二极管上的垂直投影的表面积，且第二平台的垂直投影位于第一平台的垂直投影内。本发明通过第二平台较为凸起的结构达到接合制程中发光二极管与显示板上的接触垫有良好的电性接触的功效。

本发明授权增进接合良率的发光二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种增进接合良率的发光二极管结构，其特征在于，包括：发光二极管，该发光二极管的一面包括一凸台结构；多个接触电极，设置在该凸台结构上，所述多个接触电极于俯视时为彼此分离；绝缘层结构，设置在所述多个接触电极上；多个接合电极，设置在该绝缘层结构上并分别覆盖至少一个所述多个接触电极，其中一个所述多个接合电极远离该发光二极管的一面具有第一平台和第二平台，该第二平台位于该第一平台上且相较于该第一平台远离该凸台结构，该第二平台在该发光二极管上的垂直投影的表面积小于该第一平台在该发光二极管上的垂直投影的表面积，且该第二平台的垂直投影位于该第一平台的垂直投影内；及镜面导体层，设置在该凸台结构与该绝缘层结构之间且覆盖所述多个接触电极；其中该绝缘层结构具有通孔，所述多个接合电极当中的一个通过该通孔与该镜面导体层接触，且该通孔在该发光二极管上的垂直投影范围与所述多个接触电极在该发光二极管上的垂直投影范围分隔开。

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