恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴仲融获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010856135.3，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权半导体器件及其制造方法是由吴仲融;董志航;邵栋梁;萧胜聪;王仁佑设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括第一管芯，第一管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。第一管芯包括位于后表面的冷却区中的微沟槽。冷却盖堆叠在第一管芯上。冷却盖包括位于冷却区之上且与微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：封装件，包括第一管芯，所述第一管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面，其中所述后表面具有冷却区及封闭所述冷却区的外围区，且所述第一管芯包括位于所述后表面的所述冷却区中的多个微沟槽；冷却盖，堆叠在所述第一管芯上，其中所述冷却盖包括位于所述冷却区之上且与所述多个微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口，其中所述冷却盖包括面向所述第一管芯的底板面板，且所述底板面板包括密封沟槽；以及密封环，容纳在所述密封沟槽中，且接触所述第一管芯的所述外围区，其中所述密封环密封所述冷却盖与所述多个微沟槽之间的空间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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