恭喜美光科技公司金柄徹获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010809570.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件及其形成方法是由金柄徹;F·H·法布勒盖特;R·J·希尔;S·索尔斯设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件，以及形成集成组合件的方法。所述导电层级包含控制栅极区域及接近于所述控制栅极区域的第二区域。高k介电结构直接抵靠所述控制栅极区域，且完全横跨所述绝缘层级延伸。电荷阻挡材料邻近于所述高k介电结构。电荷存储材料邻近于所述电荷阻挡材料。所述电荷存储材料经配置为区段，所述区段彼此上下垂直地堆叠，且其彼此垂直地间隔开。栅极介电材料邻近于所述电荷存储材料。沟道材料沿着所述堆叠垂直延伸，且邻近于所述栅极介电材料。
本发明授权具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成结构，其包括：交替的绝缘层级及导电层级的垂直堆叠；所述导电层级具有端子区域，且具有接近所述端子区域的非端子区域；高k介电材料，其邻近所述端子区域并横跨所述绝缘层级垂直延伸；电荷阻挡材料，其邻近所述端子区域；电荷存储材料，其经布置成垂直堆叠的经间隔开区段；所述区段邻近所述电荷阻挡材料并与所述导电层级横向间隔，所述区段的一部分延伸穿过所述导电层级以与所述绝缘层级横向间隔；栅极介电材料，其邻近所述电荷存储材料；沟道材料，其邻近所述栅极介电材料；及其中所述高k介电材料直接接触彼此垂直相邻的所述导电层级中的两个的端子区域，且完全横跨所述垂直相邻的导电层级之间的所述绝缘层级中的一个而延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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