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龙图腾网恭喜日立能源有限公司申请的专利功率半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080053766.X，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权功率半导体模块是由柳春雷;F·莫恩;D·托雷辛;E·梅诺蒂设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种将端子22连接到基板12以形成功率半导体模块10的方法，其中，端子22具有由第一材料形成的第一连接区域28，并且其中，基板12具有由第二材料形成的第二连接区域30，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域28或第二连接区域30形成连接配合区域，并且具有较低硬度的第一连接区域28或第二连接区域30形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将端子22连接到基板12，其特征在于,在将端子22连接到基板12之前,该方法包括提供连接层32的步骤，该连接层具有由硬度与连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，连接层32设置在连接基部区域上，并且其中，表面子层面向连接配合区域。

本发明授权功率半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种将端子22连接到基板12以形成功率半导体模块10的方法，其中，所述端子22具有由第一材料形成的第一连接区域28，并且其中，所述基板12具有由第二材料形成的第二连接区域30，其中，所述第一材料具有第一硬度，并且其中，所述第二材料具有第二硬度，其中，所述第一硬度不同于所述第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域28或第二连接区域30形成连接配合区域，并且，具有较低硬度的这种第一连接区域28或第二连接区域30形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将所述端子22连接到所述基板12，其特征在于，在将所述端子22连接到所述基板12之前，所述方法包括提供连接层32的步骤，所述连接层具有由硬度与所述连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，所述连接层32设置在所述连接基部区域上，并且其中，所述表面子层面向所述连接配合区域，其中，所述连接层32形成为除了所述表面子层之外还包括基部子层，其中，所述基部子层与所述连接基部区域直接相邻地放置，使得所述表面子层包括所述连接配合区域的材料并且所述基部子层包括所述连接基部区域的材料。

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