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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010607336.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由末代知子;系数裕子;河村圭子;岩鍜治阳子;布施香织设计研发完成，并于2020-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够有效地降低恢复损耗的半导体装置，其具备半导体部、设于半导体部的背面上的第一电极、以及设于半导体部的表面上第二电极。半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及第二导电型的第三半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极之间延伸，第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间。第三半导体层设于第二半导体层与第二电极之间，包含浓度比第二半导体层的第二导电型杂质的浓度高的第二导电型杂质。第二电极从半导体部的表面延伸到第二半导体层中，并包含与第二半导体层相接的埋入接触部、以及与第三半导体层相接的表面接触部。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：半导体部，包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及所述第二导电型的第三半导体层；第一电极，设于所述半导体部的背面上；第二电极，设于所述半导体部的表面上；以及第三电极，在所述半导体部与所述第二电极之间设于所述半导体部中，通过第一绝缘膜与所述半导体部电绝缘，所述第三电极在沿着所述半导体部的表面的延伸方向上延伸并具有最大尺寸，所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设于所述第二半导体层与所述第二电极之间，包含浓度比所述第二半导体层的第二导电型杂质的浓度高的第二导电型杂质，所述第二电极包含多个埋入接触部和表面接触部，该多个埋入接触部从所述半导体部的所述表面延伸到所述第二半导体层中，该表面接触部与所述半导体部的所述表面相接，所述多个埋入接触部沿所述第三电极的延伸方向并列且与所述第二半导体层相接，所述表面接触部与所述第三半导体层相接，所述表面接触部在所述半导体部的所述表面与所述第三半导体层相接，从所述多个埋入接触部注入到所述第二半导体层的空穴所对应的势垒比从所述表面接触部注入到所述第三半导体层的空穴所对应的势垒高，所述多个埋入接触部分别沿着所述第三电极的延伸方向呈直线状排列，所述多个埋入接触部接触所述第二半导体层，所述表面接触部与所述第三半导体层的最上面直接接触。

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