恭喜日月光半导体制造股份有限公司余远灏获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体设备封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113839192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010580741.7，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权半导体设备封装和其制造方法是由余远灏;何政霖;施佑霖设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备封装和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开关于一种半导体设备封装和其制造方法。所述半导体设备封装具有天线。所述天线包括第一介电层、第一导电层及第二介电层。所述第一介电层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一导电层位于所述第一介电层的所述第一表面上。所述第一导电层具有馈入端。所述第二介电层位于所述第一介电层上。所述第二介电层覆盖所述第一导电层的一部分，并暴露所述第一导电层的所述馈入端。
本发明授权半导体设备封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种天线，其包括：第一介电层12d3，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一导电层12c2，其接触所述第一介电层的所述第一表面，且露出所述第一表面的部分，所述第一导电层具有馈入端12cf；及第二介电层12d4，其接触所述第一介电层的所述第一表面的所述部分，其中所述第二介电层覆盖并接触所述第一导电层的上表面、与侧表面一部分，并暴露所述第一导电层的所述馈入端的侧表面及下表面，其中所述馈入端的所述侧表面及所述下表面接触导电结构10s并透过所述导电结构连接衬底10，其中所述馈入端的所述下表面的宽度小于所述第一导电层的所述下表面的宽度，且其中所述馈入端的所述侧表面与所述第一表面大体上平行。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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