恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司纪世良获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911338309.0，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体器件的形成方法是由纪世良;刘盼盼;张海洋设计研发完成，并于2019-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件的形成方法，包括：提供目标刻蚀层，在所述目标刻蚀层上依次形成初始掩膜层、抗反射层以及图形化结构；以所述图形化结构为掩膜，对所述抗反射层进行第一次刻蚀，去除部分厚度的所述抗反射层；对所述图形化结构进行表面处理；对所述抗反射层进行第二次刻蚀，直至露出所述初始掩膜层的表面。本发明提供的半导体器件的形成方法，可以改善最终形成的刻蚀图形的线宽粗糙度，同时保证刻蚀图形与预期目标尺寸相符。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供目标刻蚀层，在所述目标刻蚀层上依次形成初始掩膜层、抗反射层以及图形化结构，所述图形化结构具有第一粗糙度；以所述图形化结构为掩膜，对所述抗反射层进行第一次刻蚀，去除部分厚度的所述抗反射层，第一次刻蚀去除的所述抗反射层的部分厚度占所述抗反射层厚度的5%~95%；对所述图形化结构进行表面处理，使所述图形化结构具有的第一粗糙度变为第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；对所述抗反射层进行第二次刻蚀，直至露出所述初始掩膜层的表面，所述第一次刻蚀和所述第二次刻蚀的工艺参数相同，所述工艺参数包括：刻蚀气体包括CHxFy气体中的一种或多种的组合，其中，x为大于等于0的自然数，y为大于等于1的自然数，且x+y=4，刻蚀压强为5~100毫托，刻蚀功率为100~1200瓦。
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