恭喜PEP创新私人有限公司周辉星获国家专利权
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龙图腾网恭喜PEP创新私人有限公司申请的专利芯片封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910656802.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权芯片封装方法及封装结构是由周辉星设计研发完成，并于2019-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种芯片封装方法和封装结构，一种芯片封装方法，包括：在裸片活性面上形成具有材料特性的保护层；将所述裸片活性面上形成保护层的裸片贴装于载板上，裸片活性面朝向所述载板，裸片背面朝离所述载板；形成用于包封所述裸片的具有材料特性的塑封层；剥离所述载板露出所述保护层；形成导电层和介电层；该封装方法可以减小或消除面板封装过程中的翘曲，降低面板上的裸片精准度需求，减小面板封装工艺的难度，并且使封装后的芯片结构具有耐久的使用周期，尤其适用于大型面板级封装以及大电通量、薄型芯片的封装。
本发明授权芯片封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：至少一个裸片；保护层，在裸片活性面一侧，且所述保护层内形成有导电填充通孔，至少一部分所述导电填充通孔和电连接点电连接；塑封层，所述塑封层用于包封所述裸片；导电层，至少部分形成于所述保护层表面，至少一部分所述导电层和所述导电填充通孔电连接；介电层，形成于所述导电层上；所述保护层的杨氏模量为1000～20000MPa，当温度T小于玻璃化转变温度Tg时，所述保护层的热膨胀系数为3～10ppmK，以及所述保护层的厚度为20～50μm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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