买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种四元光耦红外LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510264895.8，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种四元光耦红外LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊;杨祺;宁如光设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种四元光耦红外LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种四元光耦红外LED外延片及其制备方法。该四元光耦红外LED外延片由下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型电流扩展层、N型隧穿过渡层、N型电流隧穿层、N型限制层、N侧空间层、第一有源区、第二有源区、P侧空间层、P型限制层、P型电流隧穿层、P型隧穿过渡层、P型电流扩展层、P面接触层；第二有源区的厚度小于所述第一有源区的厚度。本发明将电流隧穿层设计和双电流有源区结构设计相结合，得到的四元光耦红外LED外延片功率高且均匀性好，提高了小电流下功率特性，可用于替代现有二元光耦红外LED材料。

本发明授权一种四元光耦红外LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种四元光耦红外LED外延片，其特征在于，所述四元光耦红外LED外延片由下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型电流扩展层、N型隧穿过渡层、N型电流隧穿层、N型限制层、N侧空间层、第一有源区、第二有源区、P侧空间层、P型限制层、P型电流隧穿层、P型隧穿过渡层、P型电流扩展层、P面接触层；所述第二有源区的厚度小于所述第一有源区的厚度；所述N型隧穿过渡层的材料为Alx2Ga1-x2As，其中Al的组分x2是渐变的，从靠近N型电流扩展层一侧的初始设定组分为0.2，然后逐渐缓变至0.02，组分渐变的速率为0.009m～0.018m；所述N型电流隧穿层的材料为GaAs；所述P型隧穿过渡层的材料为Alx7Ga1-x7As，其中Al的组分x7是渐变的，从靠近P型限制层一侧的初始设定组分为0.02，然后逐渐缓变至0.2，组分渐变的速率为0.009m～0.018m；所述P型电流隧穿层的材料为GaAs。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南昌凯迅光电股份有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。