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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利一种氮化镓α粒子探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510193308.0，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种氮化镓α粒子探测器及其制备方法是由叶敏杰;陈少敏;刘泽文设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓α粒子探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种氮化镓α粒子探测器及其制备方法，包括硅衬底、多级中间层和GaN外延层，多级中间层形成于硅衬底与GaN外延层之间，且多级中间层至少包括Al元素含量渐变的分级层。通过在硅衬底与GaN外延层之间形成分级层，并将分级层内Al元素的含量自靠近硅衬底的一侧向靠近GaN外延层的一侧逐渐降低，实现对分级层晶格常数的渐变调控，从而有效缓解GaN外延层与硅衬底之间的晶格失配，降低GaN外延层的缺陷密度，并提升其结晶质量，最终，在硅衬底上生长高质量的厚膜GaN外延层，实现制备基于硅衬底的氮化镓α粒子探测器。

本发明授权一种氮化镓α粒子探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓α粒子探测器，用于对α粒子进行探测，其特征在于，包括：硅衬底；多级中间层，形成于所述硅衬底上；所述多级中间层还包括自下而上依次层叠的分级层、GaN高阻层、AlGaN渐变层、GaN低阻层和GaN渐变层；GaN外延层，形成于所述GaN渐变层上，所述GaN外延层为厚膜非掺杂GaN外延层，所述GaN外延层的厚度范围介于10μm~30μm之间；其中，所述分级层至少包括自下而上依次层叠的AlN层、AlGaN层和GaN层；所述AlGaN层中Al元素的含量渐变，且Al元素含量自靠近所述AlN层的一侧向靠近所述GaN层的一侧逐渐降低；所述AlGaN渐变层中Al元素的含量渐变，且Al元素含量自靠近所述GaN高阻层的一侧向靠近所述GaN低阻层的一侧逐渐降低；所述GaN渐变层含有掺杂浓度渐变的Si元素，且Si元素在所述GaN渐变层内的掺杂浓度自靠近所述GaN低阻层的一侧向靠近所述GaN外延层的一侧逐渐降低。

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