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龙图腾网恭喜北京麦竹吉科技有限公司申请的专利一种大直径单晶硅用高强度籽晶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119640390B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510176871.7，技术领域涉及：C30B15/36；该发明授权一种大直径单晶硅用高强度籽晶及其制备方法是由陶莹设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大直径单晶硅用高强度籽晶及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于籽晶制造技术领域，具体是指一种大直径单晶硅用高强度籽晶及其制备方法，所述大直径单晶硅用高强度籽晶包括以下重量份数的原料：第一籽晶区硅液30份、第二重掺区硅液20份和第三轻掺区硅液10份；本发明采用独特分区设计提升大直径单晶硅用高强度籽晶性能；于第一籽晶区，高温下碳化硅与硅反应引入单质碳，其阻碍位错、增强晶界，提升强度与韧性；借高导热率改善籽晶质量；同时，引入氮化硅在少氧条件生成Si2N2O，与单质碳形成共价键；在第二重掺区，引入重掺杂原子形成缺陷，强化与第一籽晶区碳的结合，为第三轻掺区轻掺杂提供位点，使重掺与轻掺结合，规避重掺对单晶硅品质的负面影响。

本发明授权一种大直径单晶硅用高强度籽晶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大直径单晶硅用高强度籽晶，其特征在于，包括以下重量份数的原料：第一籽晶区硅液30份、第二重掺区硅液20份和第三轻掺区硅液10份；所述第一籽晶区硅液包括以下制备原料：SiC、Si3N4、硅烷偶联剂和多晶硅，所述SiC、Si3N4、硅烷偶联剂和多晶硅的质量份数比为1-3:1.5-2.5:2:400-600；所述第二重掺区硅液包括以下制备原料：SbCl3、In2O3和多晶硅，所述SbCl3、In2O3和多晶硅的质量份数比为0.2-0.4:0.1:150-200；所述第三轻掺区硅液包括以下制备原料：Al2O3、PCl5和多晶硅，所述Al2O3、PCl5和多晶硅的质量份数比为0.05-0.1:0.01:140-180；所述大直径单晶硅用高强度籽晶的制备方法，包括如下步骤：步骤一、在炉内保留第一籽晶区硅液，取细晶，对细晶预热，将预热后的细晶插入第一籽晶区硅液，引出，得到细晶-第一籽晶区；步骤二、在炉内保留第二重掺区硅液，对步骤一得到的细晶-第一籽晶区预热，将预热后的细晶-第一籽晶区插入第二重掺区硅液中，引出，得到细晶-第一籽晶区-第二重掺区；步骤三、在炉内保留第三轻掺区硅液，对步骤二得到的细晶-第一籽晶区-第二重掺区预热，将预热后的细晶-第一籽晶区-第二重掺区插入第三轻掺区硅液中，引出，得到细晶-第一籽晶区-第二重掺区-第三轻掺区，去掉细晶，得到高强度籽晶主体；步骤四、对步骤三得到的高强度籽晶主体研磨与抛光，得到大直径单晶硅用高强度籽晶前体；步骤五、将步骤四得到的大直径单晶硅用高强度籽晶前体超声，对大直径单晶硅用高强度籽晶前体进行混洗，清洗，退火，冷却，得到大直径单晶硅用高强度籽晶。

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