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龙图腾网恭喜武汉亿思源光电股份有限公司申请的专利一种高集成度的硅光模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510173969.7，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种高集成度的硅光模块是由荣彬彬设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高集成度的硅光模块在说明书摘要公布了：本申请涉及一种高集成度的硅光模块，包括：承载框，所述承载框包括上表面及下表面，所述上表面向下表面的方向凹设形成上台阶，所述下表面向上表面的方向凹设形成下台阶，所述上台阶与下台阶间隔形成容置空间；光发射结构，包括设置于所述下台阶上的PCB板以及设置于所述PCB板上的激光器组件，所述激光器组件位于所述容置空间；硅光组件，设置于所述上台阶，所述硅光组件包括硅基底，所述硅基底表面形成有光波导以及位于光波导端部的微透镜；以及光纤组件，包括夹持主体以及并排设置的多个光纤，每个光纤包括与微透镜相对设置的耦合面，所述光发射组件发出的激光束经过微透镜、光波导的引导耦合至所述光纤中。

本发明授权一种高集成度的硅光模块在权利要求书中公布了：1.一种高集成度的硅光模块，其特征在于，包括：承载框1，所述承载框1包括上表面101及下表面102，所述上表面101向下表面102的方向凹设形成上台阶10，所述下表面102向上表面101的方向凹设形成下台阶12，所述上台阶10与下台阶12间隔形成容置空间110；光发射结构2，包括设置于所述下台阶12上的PCB板20以及设置于所述PCB板20上的激光器组件22，所述激光器组件22位于所述容置空间110，所述激光器组件22包括激光器芯片220、准直透镜222、两个反射件224、汇聚透镜226，每个所述反射件224为棱镜结构，每个所述反射件224包括两个反射面234，两个反射件224的顶端正对设置，所述反射件224被配置为将所述激光器芯片220发出的光调整为非轴向传输；硅光组件3，设置于所述上台阶10，所述硅光组件3包括硅基底30，所述硅基底30表面形成有光波导32以及位于光波导32端部的微透镜34；以及光纤组件4，包括夹持主体40以及并排设置的多个光纤42，每个光纤42包括与微透镜34相对设置的耦合面420，所述激光器组件22发出的激光束经过所述微透镜34、光波导32的引导耦合至所述光纤42中。

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