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龙图腾网恭喜深圳联钜自控科技有限公司申请的专利半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119645161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510175195.1，技术领域涉及：G05D23/20；该发明授权半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质是由刘颂;杨学迪;刘岩山设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质。该方法：对半导体设备的多个温控区域进行有限元网格划分及模态坐标变换，得到温控区域动态模型；采集温度传感器测量数据并进行时频域变换，生成温度预测数据序列；进行高斯混合建模得到先验分布，得到温度参数概率分布；对温度控制范围进行子域划分，得到温度域间特征映射矩阵；基于温控区域动态模型计算温区间热耦合系数矩阵，结合温度预测数据序列与温度域间特征映射矩阵构建温度控制目标函数，采用模型预测控制算法求解得到温度控制量序列。本发明提高了温度控制的精确性和动态响应速度，保证了温度控制的稳定性和能源利用效率。

本发明授权半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备的温控方法，其特征在于，包括以下步骤：对半导体设备的多个温控区域进行有限元网格划分及模态坐标变换，对模态方程进行特征值分析并选取前两阶模态建立多温区耦合传热方程组，得到温控区域动态模型；采集所述半导体设备的温度传感器测量数据并进行时频域变换，生成温度分布特征图像，通过双通道深度学习模型提取时空特征，得到温度预测数据序列；对所述温控区域动态模型的温度参数进行高斯混合建模得到先验分布，将所述先验分布与测量似然函数的乘积取对数，采用双高斯过程模型计算后验概率及证据下限，得到温度参数概率分布；具体包括：对所述温控区域动态模型中的温度分布系数和热传导系数建立多分量高斯混合模型，通过期望最大化算法对高斯分量的权重和参数进行迭代优化，得到温度参数先验概率分布；将所述半导体设备的温度传感器测量数据输入所述温控区域动态模型计算温度响应，构建测量似然函数，对所述温度参数先验概率分布与所述测量似然函数的乘积进行对数变换，得到对数后验函数；将所述对数后验函数输入第一高斯过程模型进行概率回归计算，得到后验概率拟合函数，将所述后验概率拟合函数输入第二高斯过程模型进行变分推断，得到证据下限函数；采用贝叶斯优化方法构建包含后验概率项和证据下限项的复合目标函数，通过数值迭代求解得到变分后验分布参数；对所述变分后验分布参数进行随机梯度优化，通过最大化所述证据下限函数更新参数，得到最优后验分布参数，基于所述最优后验分布参数重构温度参数概率分布；根据所述温度参数概率分布对温度控制范围进行子域划分，构建包含预测误差项与域间差异项的优化目标函数，通过梯度下降法求解得到温度域间特征映射矩阵；基于所述温控区域动态模型计算温控区间热耦合系数矩阵，结合所述温度预测数据序列与所述温度域间特征映射矩阵构建温度控制目标函数，采用模型预测控制算法求解得到温度控制量序列。

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