恭喜成都电科蓉芯科技有限公司彭磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都电科蓉芯科技有限公司申请的专利三维堆叠存储器的分层测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119649885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510177771.6,技术领域涉及:G11C29/06;该发明授权三维堆叠存储器的分层测试方法是由彭磊;叶锦宏;张文远;苟绍予设计研发完成,并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维堆叠存储器的分层测试方法在说明书摘要公布了:本发明公开了三维堆叠存储器的分层测试方法,涉及了存储器测试技术领域,对三维堆叠存储器所在每一存储层进行初始化操作,根据存储层的结构类型,制定当前三维堆叠存储器的分层测试模式,对三维堆叠存储器的每一存储层进行测试,若检测到某一存储层出现存储异常,则标记其为待详检存储层,记录其存储位置以及存储类型,并进行待详检存储层的全域测试,若在全部存储层都未检测到存储异常,则结束测试,根据全域测试的测试结果,定位出三维堆叠存储器相应存储层的全部异常存储界域,并进行诊断修复,进而将异常存储界域转换为正常存储界域。
本发明授权三维堆叠存储器的分层测试方法在权利要求书中公布了:1.三维堆叠存储器的分层测试方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:对三维堆叠存储器所在每一存储层进行初始化操作,根据存储层的结构类型,制定当前三维堆叠存储器的分层测试模式,并按照分层测试模式对三维堆叠存储器的每一存储层进行测试;步骤S2:若检测到三维堆叠存储器在某一存储层出现存储异常,则标记相应的存储层为待详检存储层,记录待详检存储层的存储位置以及存储类型,并进行待详检存储层的全域测试;若三维堆叠存储器在全部存储层都未检测到存储异常,则结束测试;步骤S3:根据全域测试的测试结果,定位出三维堆叠存储器相应存储层的全部异常存储界域,并对异常存储界域进行诊断修复,进而将异常存储界域转换为正常存储界域;对三维堆叠存储器所在每一存储层进行初始化操作的过程包括:三维堆叠存储器由第一存储层、第二存储层以及第三存储层组成,依次对每一存储层进行初始化操作,初始化操作包括配置每一存储层各自对应的测试参数,包括设置每一存储层各自对应的阈值电压,包括对每一存储层进行硬件复位,还包括对每一存储层进行外观检测;对存储层配置的测试参数包括测试时长、数据读出操作码,数据写入操作码、数据擦除操作码、坏块记录码以及错误更正码;当三维堆叠存储器所在的每一存储层的硬件复位成功完成,并且每一存储层在外观检测后,并未发现影响存储结构的瑕疵时,则当前三维堆叠存储器的初始化操作成功完成,否则,初始化操作失败;根据存储层的结构类型,制定当前三维堆叠存储器的分层测试模式,并按照分层测试模式对三维堆叠存储器的每一存储层进行测试的过程包括:依次分析三维堆叠存储器中第一存储层、第二存储层以及第三存储层各自的元件结构分布,进而判断是否存在同一结构类型的存储层,并根据判断结果为当前三维堆叠存储器的存储层选择相应的分层测试模式;分层测试模式包括并行测试模式以及独立测试模式;若三维堆叠存储器中存在同一结构类型的存储层,则将处于同一结构类型的存储层标记为同类别存储层,若三维堆叠存储器中不存在同一结构类型的存储层,则将当前三维堆叠存储器全部的存储层标记为异类别存储层;对同类别存储层选择的分层测试模式为并行测试模式;对异类别存储层选择的分层测试模式为独立测试模式;当三维堆叠存储器的每一存储层都选择完成其对应的分层测试模式后,按照每一存储层的分层测试模式以及初始化操作对应的测试参数,对三维堆叠存储器的每一存储层进行测试;并行测试模式同步进行了三维堆叠存储器中多个存储层的测试,且结构上处于上层的存储层的测试结果用于指导结构上处于下层的存储层的测试,独立测试模式则依次对三维堆叠存储器中每一存储层单独进行测试,当第一存储层的测试结束后,开启对第二存储层的测试,对第二存储层测试结束后,开启对第三存储层的测试。
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