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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510174823.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器及其制作方法是由陈维邦设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种背照式图像传感器及其制作方法，涉及集成电路技术领域。制作方法包括：提供衬底，衬底包括相对的第一表面和第二表面，衬底内形成有第一隔离结构，第一隔离结构自第一表面延伸到第二表面；形成第二隔离结构和金属栅格，第二隔离结构对应于第一隔离结构设置在第一表面，第二隔离结构在第一表面间隔设置，第二隔离结构和金属栅格沿远离第一表面的方向依次排列；在第二隔离结构之间形成光电二极管，光电二极管与第二隔离结构在第一表面交替设置；在光电二极管远离衬底的一侧形成滤光元件，滤光元件位于相邻的金属栅格之间；本公开降低了背照式图像传感器的串扰问题。

本发明授权背照式图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底内形成有第一隔离结构，所述第一隔离结构自所述第一表面延伸到所述第二表面；形成第二隔离结构和金属栅格，所述第二隔离结构对应于所述第一隔离结构设置在所述第一表面，所述第二隔离结构在所述第一表面间隔设置，所述第二隔离结构和所述金属栅格沿远离所述第一表面的方向依次排列；在所述第二隔离结构之间形成光电二极管，所述光电二极管与所述第二隔离结构在所述第一表面交替设置；在所述光电二极管远离所述衬底的一侧形成滤光元件，所述滤光元件位于相邻的所述金属栅格之间；形成第二隔离结构和金属栅格，包括：在所述第一表面上形成金属叠层，所述金属叠层包括层叠的多层金属层；图案化所述金属叠层，所述金属叠层的顶层金属层形成所述金属栅格，所述金属栅格下方的金属层形成所述第二隔离结构。

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