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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510169848.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件及制备方法是由宋富冉;周儒领;周欢设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件中，由于在第一方向上第一侧墙的宽度变小，第二侧墙的宽度变大，所以可以在半导体器件在导电沟道长度不变的情况下，让靠近第一侧墙的衬底中的第一掺杂区相对于现有的宽度变大，此时就算第三掺杂区与第二掺杂区之间出现交叠，也不会影响到第一掺杂区的掺杂浓度，不会引起导通电阻的降低，让器件的耐压性能更好。此外在第一开口区中的衬底中同时设置第三掺杂区与第一掺杂区也可以节省器件的面积，提高器件的工作效率。

本发明授权半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底；至少两个栅极结构，至少两个所述栅极结构位于所述衬底的一侧且沿第一方向依次间隔设置，所述栅极结构之间具有开口区，所述开口区包括第一开口区和第二开口区，所述第一开口区和所述第二开口区在所述第一方向上交替排布，所述第一方向平行于所述衬底所在平面；第一侧墙以及第二侧墙，分别位于所述栅极结构的两侧，且所述第一侧墙位于所述第一开口区中，所述第二侧墙位于所述第二开口区中；在所述第一方向上，所述第一侧墙在所述衬底上正投影宽度小于所述第二侧墙在所述衬底上正投影宽度；所述第一侧墙包括第一侧墙层，所述第二侧墙包括第一侧墙层以及第二侧墙层；所述第一侧墙层包括第一子层以及第二子层；所述第一侧墙中，所述第一子层以及所述第二子层层叠设置；所述第二侧墙中，所述第二侧墙层位于所述第一子层以及所述第二子层之间；且，所述衬底包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区具有第一导电类型，所述第三掺杂区具有第二导电类型；所述第一掺杂区位于所述第一开口区，且位于所述第一侧墙远离所述栅极结构的一侧；所述第二掺杂区位于所述第二开口区，且位于所述第二侧墙远离所述栅极结构的一侧；所述第三掺杂区位于所述第一开口区，且位于所述第一开口区内的两个所述第一掺杂区之间。

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