恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司周成获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510153323.2，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权半导体结构及其制作方法是由周成设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，在第一沟槽的底部形成第一掺杂区之后，在第一掺杂区上形成具有倾斜侧壁的第一填充层，倾斜侧壁从第一沟槽的槽口向槽底逐渐延伸，向倾斜侧壁注入第一离子，在倾斜侧壁形成第二掺杂区，第二掺杂区从第一沟槽的槽口向槽底逐渐延伸，然后沉积第二填充层覆盖第二掺杂区并填充第一沟槽，在第二填充层的顶部形成第三掺杂区，然后热退火将第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区的第一离子向第一填充层、第二填充层中推进扩散，以在第一沟槽中形成半导体掺杂层，第二掺杂区增加了第一离子的扩散均匀性，半导体掺杂层的第一离子均匀分布，半导体掺杂层的整体电阻小，半导体结构的电性能更好。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底形成有第一沟槽；向所述第一沟槽的底部注入第一离子，形成第一掺杂区；形成第一填充层，所述第一填充层覆盖所述第一掺杂区并填充部分所述第一沟槽，所述第一填充层具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁自所述第一沟槽的槽口向所述第一沟槽的槽底延伸；向所述倾斜侧壁注入第一离子，形成第二掺杂区；形成第二填充层，所述第二填充层覆盖所述第二掺杂区并填充所述第一沟槽未被填充的区域；在所述第二填充层的顶部注入第一离子，形成第三掺杂区；退火处理，以使所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区的第一离子向所述第一填充层、所述第二填充层扩散，在所述第一沟槽中形成半导体掺杂层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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