恭喜天津中科晶禾电子科技有限责任公司母凤文获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510147202.7，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法是由母凤文;冯策;谭向虎;刘福超设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体加工制造领域，本发明提供了一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法，所述临时键合及解键合的方法包括在两个硅衬底上形成氧化硅层，对氧化硅层进行离子注入、氢氟酸处理及等离子体活化，通过亲水性键合实现两个硅衬底的临时键合，再通过解键合退火，使得临时键合界面开裂，实现解键合。该方法无需使用键合介质，且能保持两个衬底的热学性能一致，有效避免翘曲和破碎；临时键合的强度高、稳定性好，利用该方法能够实现功能衬底的大幅度减薄，从而制备得到复合衬底或进一步用于制造多层晶圆键合结构。
本发明授权一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种临时键合及解键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：A1.提供两个硅衬底，在所述硅衬底的一侧形成氧化硅层；A2.依次对所述氧化硅层进行离子注入、氢氟酸处理及等离子体活化，形成临时键合面；A3.将所述临时键合面相接触，进行亲水性键合，再进行强化退火，使两个所述硅衬底形成临时键合体，完成临时键合；A4.将所述临时键合体进行解键合退火，使两个硅衬底的氧化硅层在临时键合界面处相分离，完成解键合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津中科晶禾电子科技有限责任公司，其通讯地址为：300451 天津市滨海新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园22-A号厂房二层C角；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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