恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司黄爽获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510148716.4，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其制作方法是由黄爽;李阳阳;杨杰;王瑞;高志杰设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，利用形成隔离结构的研磨过程在隔离结构的顶面形成的凹陷区域，在凹陷区域形成保护层保护隔离结构，利用保护层保护隔离结构刻蚀去除硬掩膜层，避免除硬掩膜层的过程刻蚀到隔离结构导致不同区域的隔离结构出现高度差；本公开在去除硬掩膜层之后在衬底顶面外延形成外延层，外延层与隔离结构之间的衬底共同作为有源区，以使有源区的顶面与隔离结构的顶面平齐，实现对有源区的高度的调节，消除了隔离结构与有源区的台阶高度，有利于提升半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及形成在所述衬底中的隔离结构，所述衬底的顶面被硬掩膜层覆盖，所述隔离结构的顶面高于所述衬底的顶面，且所述隔离结构的顶面相对于所述硬掩膜层凹陷；所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的隔离结构与所述第二区域的隔离结构的顶面的凹陷深度不同；形成保护层覆盖所述隔离结构的顶面并填充所述隔离结构的凹陷的区域，所述第一区域的隔离结构上的所述保护层的顶面高度与所述第二区域的隔离结构的顶面上的所述保护层的顶面高度平齐；刻蚀去除所述硬掩膜层，暴露出所述衬底的顶面；在所述衬底的顶面上外延形成外延层，所述外延层用于作为有源区，所述有源区的顶面与所述保护层的顶面平齐；外延形成所述外延层之后，所述第一区域与所述第二区域的顶面平齐。
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