恭喜深圳大学;中国核动力研究设计院颜强获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳大学;中国核动力研究设计院申请的专利半导体微结构沟槽中填充中子转化材料的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031883.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权半导体微结构沟槽中填充中子转化材料的方法和装置是由颜强;毛楚元;杨文华;张海涛;刘国卿;吴正新;朱伟;张亮设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体微结构沟槽中填充中子转化材料的方法和装置在说明书摘要公布了：本发明提供了半导体微结构沟槽中填充中子转化材料的方法和装置，属于半导体技术领域。本发明采用湿法离心的冷态技术路线，在不加热半导体的前提下，利用离心的方式将胶体中的氟化锂微粒填充到微结构中。在离心力的作用下，微结构中的氟化锂填充致密且完全，达到MSND芯片的工艺要求。在本发明中，含有微结构沟槽的半导体（3）通过静电自粘薄膜（2）固定于半导体装载器（1）表面，由于半导体（3）本身密度较低，且体积较小，能避免因溶液流动造成的翻滚或位移；半导体装载器（1）设有限位卡口（12），通过限位卡口（12）与支撑架（4）的立柱（41）配合安装，可实现固定半导体装载器（1），避免半导体装载器（1）发生旋转或翻滚。
本发明授权半导体微结构沟槽中填充中子转化材料的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体微结构沟槽中填充中子转化材料的装置，其特征在于，包括半导体装载器（1），所述半导体装载器（1）的表面设有装载槽（11），所述装载槽（11）表面含有静电自粘薄膜（2）；所述半导体装载器（1）的边缘设有限位卡口（12）；支撑所述半导体装载器（1）的支撑架（4）；所述支撑架（4）包括底部托盘（42）和垂直设于所述底部托盘（42）边缘的立柱（41），所述立柱（41）的宽度与半导体装载器（1）限位卡扣的大小吻合；所述底部托盘（42）为磨砂材质。
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