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龙图腾网恭喜苏州晨晖智能设备有限公司申请的专利一种控制第五主族元素掺杂晶棒电阻率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119392360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510012673.7，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种控制第五主族元素掺杂晶棒电阻率的方法是由李燕辉;何顺江设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种控制第五主族元素掺杂晶棒电阻率的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备技术领域，提供了一种控制第五主族元素掺杂晶棒电阻率的方法，通过不同拉晶阶段对拉晶时间进行区分，对不同时间掺杂元素挥发系数进行调整，更加准确的计算出各时间区间内掺杂元素的挥发量，从而更准确的计算出控制电阻所需掺杂元素量，能够更有效更准确的调节晶棒电阻，有利于更好的缩小单晶晶棒头尾电阻差异，同时通过对等级和收尾挥发量的控制过程及时进行调整，明确拉晶过程当中需补掺条件，提升晶棒电阻命中率和减少头尾电阻差异，从而精确地控制晶棒各部分的电阻率，以保证后续硅片产品质量的一致性。

本发明授权一种控制第五主族元素掺杂晶棒电阻率的方法在权利要求书中公布了：1.一种控制第五主族元素掺杂晶棒电阻率的方法，其特征在于，包括：S100，控制炉台拉晶过程当中各工艺阶段的时间区间比例；所述工艺阶段依次包括：高温阶段、放肩阶段、转肩阶段以及收尾阶段；S200，根据对各工艺阶段的实验验证，确定不同工艺阶段对应的挥发系数；S300，根据各不同工艺阶段对应的挥发系数，确定各工艺阶段进行单工艺阶段运行时对应的掺杂挥发量；S400，根据需补掺杂所处的实际工艺阶段以及对应工艺阶段的掺杂挥发量，确定补加掺杂剂的掺杂量；其中，所述补加掺杂剂为锑；S500，通过料桶将补加掺杂剂和添加新硅料加入到盛有熔融硅的坩埚内，待补加物料熔化后进行重新拉晶；其中，新硅料的添加量根据需补掺杂所处的实际工艺阶段确定；在S400中，所述根据需补掺杂所处的实际工艺阶段以及对应工艺阶段的掺杂挥发量，确定补加掺杂剂的掺杂量，包括：根据拉晶炉台晶棒断线长度以及实际晶棒产出头部电阻情况进行补掺方式选择；若拉晶炉台晶棒断线长度小于或者等于200mm，则不需要进行补掺杂；若拉晶炉台晶棒断线长度大于200mm，则需重新添加新硅料并且补加掺杂剂；当需要重添加新料并且补加掺杂剂时，所述补加掺杂剂的掺杂量根据目标电阻需求掺杂量、坩埚内剩余硅料含量以及第一过程掺杂挥发量进行确定；所述坩埚内剩余硅料含量等于初始添加总掺杂量与硅液凝固提出掺杂量以及第二过程掺杂挥发量的差值；其中，所述第一过程掺杂挥发量为理论工艺过程掺杂挥发量，所述第二过程掺杂挥发量为实际工艺过程掺杂挥发量；补加掺杂剂的位置为料桶中加入占单桶总加料量10-50%的硅料后的料面位置，加入补加掺杂剂后再加入剩余硅料；所述补掺杂剂下方的硅料为下部硅颗粒，所述补掺杂剂上方的新硅料为上部硅颗粒；其中，所述下部硅颗粒粒径小于所述上部硅颗粒粒径，所述下部硅颗粒粒径8-30mm，所述上部硅颗粒粒径为9-50mm。

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