恭喜大连理工大学;烟台大学刘安敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜大连理工大学;烟台大学申请的专利一种钙钛矿新型复合材料及其带隙调控方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119320179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411878094.2,技术领域涉及:C01G55/00;该发明授权一种钙钛矿新型复合材料及其带隙调控方法是由刘安敏;陈平;任雪峰设计研发完成,并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钙钛矿新型复合材料及其带隙调控方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种钙钛矿新型复合材料,包括ABX3型全无机钙钛矿和二维MXene;二者摩尔比为(1~50):1;ABX3型全无机钙钛矿中替换A位为Cs,替换B位为Pt,替换X位为卤族元素;二维MXene为过渡金属碳化物、氮化物或硼化物,相比传统的全无机型钙钛矿无毒无害且带隙适配于光电材料的应用;本发明还涉及该材料的带隙调控方法,通过初始材料选择、构建理论模型和复合材料,优化结构计算复合能、选取结构稳定的理论模型、带隙计算后分析结果,高效快捷地通过改变二维MXene掺杂比而调控带隙的大小,获得结构稳定且带隙在1.5eV左右CsPtX3MXene复合材料的结构与组成,从而降低实验寻找合适带隙材料操作的复杂性,缩短新材料的研发周期和节约成本,具有重要的实际应用价值。
本发明授权一种钙钛矿新型复合材料及其带隙调控方法在权利要求书中公布了:1.一种钙钛矿复合材料的带隙调控方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:利用MaterialsStudio软件包,根据(GGA-PBE)-HSE03-HSE06为递进的顺序进行未复合的CsPtX3带隙计算,选择具有导电性的二维MXene与CsPtX3构筑复合材料;S2:将CsPtX3钙钛矿和二维MXene按照摩尔比例,使用MaterialsStudio进行模型构建,构造CsPtX3MXene理论模型;S3:根据所述S2的理论模型,构筑CsPtX3MXene复合材料;S4:根据所述S2建立理论模型,以MaterialsStudio优化异质结构,计算CsPtX3MXene复合材料结合能;S5:根据约束条件选取稳定的CsPtX3MXene异质模型和对应的CsPtX3MXene复合材料;S6:根据所述S5中的CsPtX3MXene复合材料,以MaterialsStudio进行带隙计算,依次进行(GGA-PBE)-HSE03-HSE06为递进的逐步带隙计算,得到带隙计算结果;S7:分析带隙计算结果,获取CsPtX3MXene复合材料带隙在1.5eV的材料结构与组成;钙钛矿复合材料,包括:ABX3型全无机钙钛矿和二维MXene;所述ABX3型全无机钙钛矿和二维MXene摩尔比为(1~50):1;所述ABX3型全无机钙钛矿中替换A位的元素为Cs,替换B位的过渡元素为Pt,替换X位的元素为卤族元素,所述卤族元素包括Cl、Br、I,替换X位的元素为Cl、Br、I其中的一种或多种任意组合;所述二维MXene为过渡金属碳化物、氮化物或硼化物。
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