恭喜江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411825190.0，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法是由胡加辉;郑文杰;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明的发光二极管外延片包括硅衬底，以及在硅衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；缓冲层包括在所述硅衬底上依次层叠的氧化层和阻挡层；氧化层包括依次层叠的三维Si渐变掺杂Ta2O5层、三维Si渐变掺杂Ga2O3层和二维AlGa2O3层；阻挡层包括依次层叠的三维Mg‑H掺杂BAlN层和二维Si3N4层。本发明的发光二极管外延片能够减少漏电通道，提高晶体质量，提高LED器件的光电性能，解决了硅衬底GaN基LED存在的高漏电电流的问题。
本发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述缓冲层包括在所述硅衬底上依次层叠的氧化层和阻挡层；所述氧化层包括依次层叠的三维Si渐变掺杂Ta2O5层、三维Si渐变掺杂Ga2O3层和二维AlGa2O3层；所述阻挡层包括依次层叠的三维Mg-H掺杂BAlN层和二维Si3N4层；所述三维Si渐变掺杂Ta2O5层和所述三维Si渐变掺杂Ga2O3层的厚度比为1：1~1：2；所述三维Si渐变掺杂Ta2O5层和所述二维AlGa2O3层的厚度比为1：3~1：7。
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