买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜洛阳中硅高科技有限公司申请的专利多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119082862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411578767.2，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体是由万烨;张邦洁;陈辉;常卓明;刘见华设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅晶体技术领域，具体涉及多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体。制备装置包括反应器，反应器包括底板、罩体和罩体内的沉积载体，底板的中央设置抽气孔，抽气孔的外部穿设和沉积载体连接的电极，电极的外侧设置进气孔；通过进气孔延伸至反应器内部的进气管；包括抽气管、抽气部、抽气控制部和负压监测件的负压组件，抽气管的第一端通过抽气孔与反应器内部相连通，抽气管的第一端的端部低于沉积载体的下端，抽气管的第二端与抽气部相连通，负压监测件监测反应器内的压力是否在0.001bar~0.1bar的范围内，抽气控制部与负压监测件和抽气部分别连接，能够提高碳化硅棒的致密性和粉体的纯度。

本发明授权多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体在权利要求书中公布了：1.一种高致密度多晶碳化硅棒的制备方法，其特征在于，通过高致密度多晶碳化硅棒的制备装置制备，使负压监测件监测反应器（1）内的压力，使抽气控制部根据所述反应器（1）内的压力调节抽气部的抽气速度，使抽气部通过抽气管（3）从所述反应器（1）内抽气，使所述反应器（1）内的压力保持为0.001bar~0.1bar，沉积气源通过进气管（2）上的喷嘴（21）通入反应器（1）内部，在沉积载体（13）表面发生沉积反应生成多晶碳化硅和氯化氢气体；所述制备装置包括：反应器（1），所述反应器（1）包括底板（11）、罩于所述底板（11）上的罩体（12）和位于所述罩体（12）内部的竖直的沉积载体（13），所述底板（11）的中央设置有抽气孔（111），所述底板（11）上穿设有竖直的电极（14），所述电极（14）位于所述抽气孔（111）的外部，所述电极（14）的上端和所述沉积载体（13）的下端相连接，所述底板（11）上位于所述电极（14）的外侧设置有进气孔（112）；进气管（2），所述进气管（2）的一端通过所述进气孔（112）延伸至所述反应器（1）内部，所述进气管（2）位于所述反应器（1）内部的管段上设置有喷嘴（21）；负压组件，所述负压组件包括抽气管（3）、抽气部、抽气控制部和负压监测件，所述抽气管（3）的第一端通过所述抽气孔（111）与所述反应器（1）内部相连通，所述抽气管（3）的第一端的端部低于所述沉积载体（13）的下端，所述抽气管（3）的第二端与所述抽气部相连通，所述负压监测件监测所述反应器（1）内的压力是否在0.001bar~0.1bar的范围内，所述抽气控制部与所述负压监测件和所述抽气部分别连接；所述进气管（2）的一端通过所述进气孔（112）延伸至所述沉积载体（13）的上部，所述进气管（2）位于所述反应器（1）内部的管段的靠近所述沉积载体（13）的侧部设置有若干个喷嘴（21），所述喷嘴（21）沿所述进气管（2）的轴向间隔设置，最上端的所述喷嘴（21）位于所述沉积载体（13）之上，最下端的所述喷嘴（21）位于所述抽气管（3）的第一端之上且与所述抽气管（3）的第一端的竖直距离为50cm以上；所述抽气管（3）的第一端延伸至所述反应器（1）内部，所述抽气管（3）的第一端的管壁向外向上倾斜延伸形成喇叭状结构（31）；所述进气孔（112）位于多晶碳化硅棒的外围，沉积气源和载气从多晶碳化硅棒的外周喷射进入反应器（1），沉积气源和载气流过多晶碳化硅棒体表面，带来沉积气源，带走包括氯化氢的尾气，所述抽气管（3）的所述喇叭状结构（31）位于多晶碳化硅棒的内侧下部，所述抽气管（3）的所述喇叭状结构（31）汇集中心区域含有氯化氢组分的尾气，促进尾气从反应器（1）中抽出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人洛阳中硅高科技有限公司，其通讯地址为：471100 河南省洛阳市孟津县先进制造业开发区华夏大道101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。