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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411570561.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王爽;高大为;吴永玉;许凯设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，基底内具有漂移区；形成栅极结构，栅极结构覆盖漂移区的一部分；在基底内形成第一体区，第一体区与漂移区之间具有第一间隔区域，且与漂移区的掺杂类型不同；在漂移区内形成第一反型区，第一反型区的至少一部分被栅极结构覆盖，且掺杂类型与漂移区不同；对半导体结构进行退火，以使第一体区向第一间隔区域扩散得到第二体区，第二体区与漂移区邻接，栅极结构下方的第二体区的掺杂浓度沿邻近漂移区方向逐渐减小；基于第一反型区得到第二反型区，第二反型区至少一部分被栅极结构覆盖，第二反型区的掺杂类型与第一反型区一致。采用上述技术方案，能够提升半导体结构的击穿电压。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有漂移区；在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述漂移区的一部分，其中，所述栅极结构包含栅介质层、场介质层以及栅极主体，所述场介质层覆盖所述漂移区，所述栅介质层与所述场介质层邻接，且覆盖与所述漂移区邻接的基底；所述栅极主体覆盖栅介质层以及部分场介质层；在所述基底内形成第一体区，所述第一体区与所述漂移区之间具有第一间隔区域，且所述第一体区与所述漂移区的掺杂类型不同；对所述基底进行离子注入，在所述漂移区内形成第一反型区以及对所述第一体区进行二次掺杂，其中，在先形成的栅极主体能够阻止离子注入所述栅极主体下方的基底内，并确定所述第一反型区靠近所述第一体区的一侧的边界，所述第一反型区的至少一部分位于被所述栅极结构的场介质层覆盖的漂移区内，还存在至少一部分位于被所述栅极结构的场介质层暴露出的漂移区内，所述第一反型区与所述漂移区的掺杂类型不同；对所述半导体结构进行退火，以使所述第一体区向所述第一间隔区域扩散得到第二体区，其中，所述第二体区与所述漂移区邻接，所述栅极结构下方的第二体区的掺杂浓度沿邻近所述漂移区的方向逐渐减小；基于所述第一反型区得到第二反型区，所述第二反型区的至少一部分被所述栅极结构覆盖，其中，所述第二反型区的掺杂类型与所述第一反型区一致。

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