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龙图腾网恭喜南京航空航天大学申请的专利基于三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构逆设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119066994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411563238.5，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权基于三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构逆设计方法是由王源隆;黄思宇;李思雨;张晨龙;金琦;赵万忠;王春燕;周冠设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构逆设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构逆设计方法，该方法包括：建立一个包含三周期极小曲面单元结构及其结构性能的训练数据集；对训练数据集进行预处理；建立条件对抗生成网络，包含生成器模型G和鉴别器模型D；将训练数据集作为训练样本对条件对抗生成网络进行训练，得到训练后的条件对抗生成网络；将需要进行逆设计的三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构的性能参数矩阵输入至训练完毕的条件对抗生成网络中，得到多个符合要求的三周期极小曲面单元结构。该逆设计方法可以直接通过所需结构性能参数矩阵得到符合要求的三周期极小曲面单元结构，减少了设计师所需相关专业知识，并大幅度提升了设计效率。

本发明授权基于三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构逆设计方法在权利要求书中公布了：1.基于三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构逆设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1），建立一个包含三周期极小曲面单元结构及其结构性能的训练数据集；所述三周期极小曲面单元结构的隐函数为： ；式中，； ； ；式中，、、分别为极小曲面、、的水平集值；、、分别为极小曲面、、预设的权重，，；所述三周期极小曲面单元结构的结构性能包含电磁屏蔽性能、力学性能、散热性能；具体步骤如下：步骤1.1），随机生成N组、、；并通过拉丁超立方体采样策略生成N组、、，均匀覆盖水平集空间；步骤1.2），对N组、、和N组、、随机配对形成k个三周期极小曲面单元结构；步骤1.3），采用多物理场仿真软件对k个三周期极小曲面单元结构进行仿真，得到k个三周期极小曲面单元结构的电磁屏蔽效能曲线、应力-应变曲线、温度-时间曲线；步骤1.4），将每个三周期极小曲面单元结构的形状参数向量及该三周期极小曲面单元结构的电磁屏蔽效能曲线、应力-应变曲线、温度-时间曲线作为一组数据，形成k组数据，并将这k组数据作为训练数据集；步骤2），对训练数据集中的每一组数据进行预处理，其中第i组数据的预处理步骤如下：步骤2.1），将第i组数据中的形状参数向量命名为形状向量；步骤2.2），在第i组数据的电磁屏蔽效能曲线上按照预设的第一步长阈值依次选择20个点，将这20个点的纵坐标表示成单列向量；步骤2.3），在第i组数据的应力-应变曲线上按照预设的第二步长阈值依次选择20个点，将这20个点的纵坐标表示成单列向量；步骤2.4），在第i组数据的温度-时间曲线上按照预设的第三步长阈值依次选择20个点，将这20个点的纵坐标表示成单列向量；步骤2.5），将列向量、、拼接成第i组数据的性能矩阵；步骤3），建立条件对抗生成网络，所述条件对抗生成网络包含生成器模型G、鉴别器模型D；生成器模型G包含6个依次相连的全连接层，第一个全连接层作为输入层，第六个全连接层作为输出层，第一个到第五个全连接层都使用ReLU激活函数，输出层使用Softmax函数；输入层的输入参数为训练数据集中数据的形状向量、性能矩阵，输出层的输出为逆向生成的形状参数向量；鉴别器模型D包含6个依次相连的全连接层，第一个全连接层作为输入层，第六个全连接层作为输出层，第一个到第五个全连接都使用ReLU激活函数，输出层使用Sigmoid函数；输入层的输入参数为训练数据集中数据的形状向量、性能矩阵及其对应的逆向生成的形状参数向量，输出为对真假的判定结果；条件对抗生成网络的损失函数为： ；其中，表示期望，D为鉴别器模型D，G为生成器模型，Pdata为训练数据集的数据分布，x从训练数据集中所有的形状向量中采样，y从训练数据集中所有的性能矩阵中采样，z从添加的高斯噪声的噪声分布Pz中采样；步骤4），将训练数据集作为训练样本对条件对抗生成网络进行训练，得到训练后的条件对抗生成网络；步骤5），根据需要进行逆设计的三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构的电磁屏蔽效能曲线、应力-应变曲线、温度-时间曲线获得其性能参数矩阵；步骤5.1），在需要进行逆设计的三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构的电磁屏蔽效能曲线上按照预设的第一步长阈值依次选择20个点，将这20个点的纵坐标表示成单列向量；步骤5.2），在需要进行逆设计的三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构的应力-应变曲线上按照预设的第二步长阈值依次选择20个点，将这20个点的纵坐标表示成单列向量；步骤5.3），在需要进行逆设计的三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构的温度-时间曲线上按照预设的第三步长阈值依次选择20个点，将这20个点的纵坐标表示成单列向量；步骤5.4），将单列向量、、拼接成性能矩阵；步骤6），将需要进行逆设计的三周期极小曲面单胞阵列的电磁防护结构的性能参数矩阵输入至训练完毕的条件对抗生成网络中，得到所需的三周期极小曲面单元结构。

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