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龙图腾网恭喜成都燧石蓉创光电技术有限公司申请的专利半导体光电探测器芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411489165.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体光电探测器芯片及制备方法是由杨炳;朱永岩;昝芳情设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体光电探测器芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测器，具体提供一种半导体光电探测器芯片及制备方法，旨在解决读出电路芯片和探测器芯片对准难度高的问题。本发明提供的半导体光电探测器芯片的制备方法包括：提供探测器晶圆，包括探测器衬底、第一接触层和第二接触层；提供读出电路晶圆，具有第三电极和第四电极；形成键合层键合探测器晶圆和读出电路晶圆；在探测器晶圆上形成呈阵列设置的像元台面，同一阵列中两个相邻像元台面之间具有第一隔离槽，第一隔离槽贯穿探测器晶圆和键合层；形成电极，使第一接触层与第四电极电连接和或第二接触层与第三电极电连接。探测器晶圆和读出电路晶圆先键合，后形成像元台面阵列，能够大大降低探测器晶圆和读出电路晶圆进行键合的难度。

本发明授权半导体光电探测器芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光电探测器芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供探测器晶圆10，包括探测器衬底1和形成于所述探测器衬底1上的探测器功能层2，其中所述探测器功能层2最靠近所述探测器衬底1的一层为第一接触层21，所述探测器功能层2最远离所述探测器衬底1的一层为第二接触层22；提供读出电路晶圆20，所述读出电路晶圆20的一侧具有第三电极201和第四电极202；键合所述探测器晶圆10和所述读出电路晶圆20，其中所述探测器晶圆10和所述读出电路晶圆20之间形成键合层30，所述第三电极201和所述第四电极202位于所述读出电路晶圆20靠近所述探测器晶圆10的一侧；在所述探测器晶圆10上形成呈阵列设置的像元台面3，同一阵列中两个相邻所述像元台面3之间具有第一隔离槽4以隔离所述像元台面3，所述第一隔离槽4贯穿所述探测器晶圆10和所述键合层30；形成电极，使所述第一接触层21与所述第四电极202电连接和或所述第二接触层22与所述第三电极201电连接；键合所述探测器晶圆10和所述读出电路晶圆20之后，所述探测器衬底1位于所述探测器功能层2靠近所述读出电路晶圆20的一侧；形成电极，包括：在像元台面3上形成开口31，所述开口31从所述第二接触层22延伸至所述第一接触层21；在所述探测器晶圆10远离所述读出电路晶圆20的一侧形成图案化的第一介质层53，所述第一介质层53露出位于所述开口31底部的所述第一接触层21以及位于所述第一隔离槽4底部的所述第四电极202；在所述第一介质层53上形成第一电极54，所述第一电极54从所述开口31底部沿所述像元台面3侧壁延伸至所述第四电极202，使所述像元台面3的所述第一接触层21通过所述第一电极54与所述第四电极202电连接；在所述第一电极54上形成第二介质层55，所述第二介质层55露出第二接触层22以及位于所述第一隔离槽4底部的所述第三电极201；在所述第二介质层55上形成第二电极56，所述第二电极56从所述第二介质层55露出的所述第二接触层22沿所述像元台面3侧壁延伸至所述第三电极201，使所述像元台面3中所述第二接触层22通过所述第二电极56与所述第三电极201电连接。

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