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龙图腾网获悉吉盛微(武汉)新材料科技有限公司申请的专利SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117821932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311765621.4，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法是由贾瑞涛;刘宁宁设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高纯度SiC粉体的制备装置和高纯度SiC粉体的制备方法，本发明首先在立式生长炉的内部顶端装载纳米级SiC粉体作为籽晶，其次，将立式生长炉的上部腔体的温度加热至生长温度，再次，通过第一气体预备室将第一载气和或物料气体通入至上部腔体中，再次，通过第二载气将籽晶吹落至反应腔室中，籽晶受向上运动气流的作用悬浮在反应腔室中，物料气体在高温下发生化学反应，并以籽晶为形核中心异相形核成高纯度的毫米级SiC粉体，最终，通过粉体收集器收集上述毫米级SiC粉体，通过上述方法制备的碳化硅粉体纯度高、粒径均匀，可以用来制备高质量的半绝缘SiC单晶。

本发明授权SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC粉体的制备装置，其特征在于，包括：立式生长炉；籽晶放置室，安装于所述立式生长炉的内部顶端，用于装载纳米级SiC粉体作为籽晶；第一气体预备室，安装于所述立式生长炉的外部底端，用于将第一载气和或物料气体混合并通入至所述立式生长炉的内部；第二气体预备室，安装于所述立式生长炉的外部并与所述籽晶放置室的内部连通，用于将第二载气通入至所述籽晶放置室内，以将所述籽晶吹落至所述籽晶放置室的外部；以及多个加热组件，固定于所述立式生长炉的外侧壁，所述加热组件用于将所述籽晶加热到预设的生长温度，以使所述籽晶与所述物料气体反应后异相形核成毫米级SiC粉体；以及粉体收集器，安装于所述立式生长炉的内部底端且远离所述加热组件设置，所述粉体收集器用于收集所述毫米级SiC粉体，所述粉体收集器具有多个第二出气孔，所述第二出气孔的孔径为0.1mm~1mm；其中，所述籽晶放置室通过与所述第二气体预备室连接的管路悬空于所述立式生长炉的内部顶端，所述籽晶放置室包括底板，所述底板具有多个漏料孔，所述漏料孔的孔径为1μm~5μm；所述制备装置还包括布气盘，所述布气盘内嵌于所述立式生长炉的底端且位于所述粉体收集器的下方；所述布气盘与所述第一气体预备室的第一出气口对应连接，所述布气盘具有多个第一出气孔，所述第一出气孔的孔径为5mm~10mm。

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