恭喜西安电子科技大学苏凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种高输出功率的金刚石光导开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211646063.5，技术领域涉及：H10F30/00；该发明授权一种高输出功率的金刚石光导开关及其制备方法是由苏凯;米天和;张金风;王唯;任泽阳;王东;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高输出功率的金刚石光导开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高输出功率的金刚石光导开关及其制备方法，包括：金刚石层；介质层，介质层包括多个介质子层，所有介质子层阵列排布在金刚石层上，相邻两个介质子层之间的间距大于零；第一欧姆接触电极，第一欧姆接触电极位于未被介质层覆盖的金刚石层上，且每个介质子层部分上表面覆盖有第一欧姆接触电极形成场板结构，其中，覆盖在介质子层上的第一欧姆接触电极与该介质子层同端设置于金刚石层上的第一欧姆接触电极连续排布；第二欧姆接触电极，第二欧姆接触电极位于金刚石层的下表面。本发明的光导开关可获得较大的受光面积从而降低器件导通电阻、提升金刚石光导开关的输出功率。
本发明授权一种高输出功率的金刚石光导开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高输出功率的金刚石光导开关，其特征在于，所述金刚石光导开关包括：金刚石层1；介质层2，所述介质层2包括多个介质子层，所有所述介质子层阵列排布在所述金刚石层1上，相邻两个所述介质子层之间的间距大于零；第一欧姆接触电极3，所述第一欧姆接触电极3位于未被所述介质层2覆盖的所述金刚石层1上，且每个所述介质子层部分上表面覆盖有所述第一欧姆接触电极3形成场板结构，其中，覆盖在所述介质子层上的所述第一欧姆接触电极3与该介质子层同端设置于所述金刚石层1上的所述第一欧姆接触电极3连续排布；第二欧姆接触电极4，所述第二欧姆接触电极4位于所述金刚石层1的下表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号