恭喜上海韦尔半导体股份有限公司龚雨琛获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种低噪声电荷垂直传输像素结构和驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211634922.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种低噪声电荷垂直传输像素结构和驱动方法是由龚雨琛;陈多金;高峰设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低噪声电荷垂直传输像素结构和驱动方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低噪声电荷垂直传输像素结构和驱动方法，在p型衬底和p型外延的基础上，用N型注入形成N型光电二极管用于感光，P型注入形成P阱作为像素间隔离；P型重掺杂区域包裹传输电极用于沟道控制；N型掺杂的浮置扩散节点与P型重掺杂区域之间用浅沟槽隔离作为隔离；N型光电二极管与浮置扩散节点之间用N型注入形成电荷传输通道N型沟道；在P型重掺杂区域与N型光电二极管、浮置扩散节点区域之间，用P型浅掺杂区域作为过渡；传输电极外接TX信号，浮置扩散节点连接电容，外接BOOST信号。通过结构上的改进配合相应的驱动时序控制方案，可以在保证像素尺寸的同时减小像素内缺陷导致的暗电流与白点噪声的影响。
本发明授权一种低噪声电荷垂直传输像素结构和驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种低噪声电荷垂直传输像素结构，其特征在于，包括：在p型衬底和p型外延101的基础上，用N型注入形成N型光电二极管102用于感光，P型注入形成P阱103作为像素间隔离；P型重掺杂区域104包裹传输电极105用于沟道控制；N型掺杂的浮置扩散节点107与P型重掺杂区域104之间用浅沟槽隔离106作为隔离；N型光电二极管102与浮置扩散节点107之间用N型注入形成电荷传输通道N型沟道109；在P型重掺杂区域104与N型光电二极管102、浮置扩散节点107区域之间，用P型浅掺杂区域108作为过渡；传输电极105外接TX信号，浮置扩散节点107连接电容110，外接BOOST信号。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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