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龙图腾网恭喜广州今泰科技股份有限公司申请的专利一种高sp³C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116356278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211624290.8，技术领域涉及：C23C16/02；该发明授权一种高sp³C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法是由苏东艺设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高sp³C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高sp3C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法，步骤包括将表面经过处理后的导电金属工件置于真空镀膜装置的真空室中，真空室内安装了至少一个磁控靶阴极和至少一个离化源电极，采用等离子体对导电金属工件的表面进行刻蚀活化；采用磁控溅射的方式先沉积靶材Me层，然后沉积靶材Me与C混合的含碳梯度层MeC层，从而形成Me‑MeC过渡层；采用至少一个离化源电极在Me‑MeC过渡层上制备厚度为1～6微米的含氢碳基涂层，得到高sp3C含量的含氢碳基薄膜。采用本发明方法制得的高sp3C含量的含氢碳基薄膜的生长速率达到100～150nmmin，含氢碳基涂层的sp3C体积含量超过45％。

本发明授权一种高sp³C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高sp3C含量的含氢碳基薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、刻蚀活化：将表面经过处理后的导电金属工件置于真空镀膜装置的真空室中，真空室内的压强为0.05Pa~0.15Pa，真空室内安装了至少一个磁控靶阴极和至少一个离化源电极，对导电金属工件施加双极脉冲偏压，正极+10V~+25V，负极-150V~-250V，频率30kHz~40kHz，占空比40%~60%，开启离子源利用氩等离子体对导电金属工件的表面进行刻蚀活化30min~60min，刻蚀后的导电金属工件的温度达到75℃~150℃；S2、采用磁控靶阴极制备Me-MeC过渡层：采用磁控溅射的方式在经过刻蚀活化的导电金属工件的表面先沉积300nm~500nm厚的靶材Me层，然后沉积200nm~400nm厚的靶材Me与C混合的含碳梯度层MeC层，从而形成Me-MeC过渡层；在磁控溅射过程中，维持氩气的压强为0.05Pa~0.15Pa，磁控靶阴极的功率从4kW~5kW线性调小至1kW，同时线性增加碳氢工作气体的流入量至真空室的压力达到0.8Pa~2.0Pa，启动离化源电极并线性调节离化源电极的功率自1.5kW至4.0kW~5.0kW进行磁控溅射，期间对导电金属工件施加双极脉冲偏压，正极+10V~+25V，负极-100V~-200V，频率30kHz~40kHz，占空比40%~60%；S3、制备高sp3C类含氢碳基涂层：采用至少一个离化源电极采用PECVD法在Me-MeC过渡层上沉积制备厚度为1~6微米的含氢碳基涂层，含氢碳基涂层中sp3C体积含量为46%~55%，得到高sp3C含量的含氢碳基薄膜；在沉积时，真空室压力维持在0.8Pa~2.0Pa，离化源电极的功率为4.0kW~5.0kW，期间对导电金属工件施加双极脉冲偏压，正极+10V~+40V，负极-350V~-600V，频率30kHz~40kHz，占空比40%~60%；其中，所述的离化源电极的表面覆盖有厚度≥1微米且表面电阻≥1MΩ的a-C:H涂层；离化源电极的表面在垂直电极轴线的环内形成有闭合磁场，闭合磁场在离化源电极的表面垂直电极轴线方向的磁场强度为4000高斯~8000高斯。

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