恭喜中国科学院微电子研究所李俊杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种纳米结构的制备方法及纳米结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115845628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211576202.1，技术领域涉及：B01D67/00；该发明授权一种纳米结构的制备方法及纳米结构是由李俊杰;周娜;刘恩序;高建峰;李俊峰;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米结构的制备方法及纳米结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种纳米结构的制备方法及纳米结构，该纳米结构的制备方法通过先在衬底上交替重复的层叠第一材料层和第二材料层，形成叠层；之后在叠层上表面形成线槽图案，并刻蚀叠层至衬底的表面，将线槽图案转移到叠层中；再在叠层的线槽图案中填充成型材料，去除叠层中剩余的第一材料层或第二材料层，从而在叠层内形成阵列排列的纳米孔图案。相比现有方式，既能够保证纳米孔图案呈规律的几何阵列排列，而且还能够通过调整线槽图案的线槽间距、第一材料层及第二材料层的厚度，控制纳米孔的直径与密度。
本发明授权一种纳米结构的制备方法及纳米结构在权利要求书中公布了：1.一种纳米结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在衬底上交替重复的层叠第一材料层和第二材料层，形成叠层；其中，所述第一材料层和第二材料层的刻蚀选择比不同；在所述叠层的上表面形成掩膜，并在所述掩膜中形成线槽图案；其中，所述线槽图案中包含有多个并排排列的线槽，每个线槽的底壁均为所述叠层的上表面；从上至下刻蚀所述叠层至所述衬底的上表面，将所述线槽图案转移到所述叠层中；在所述叠层中的线槽图案内填充成型材料，并平坦化处理所述成型材料至所述叠层的上表面为止；采用气态刻蚀或液态刻蚀的方法去除所述叠层中剩余的所述第一材料层或第二材料层，在所述叠层内形成阵列排列的纳米孔图案。
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