买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211214119.X，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权半导体结构及其制造方法是由蔡莹;金锋;潘山山;张宇栋设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，在本发明提供的制造方法中，其是通过增加有源区区域的刻蚀时间的方式，加深场氧隔离结构LOCOS在半导体衬底内的深度，因此其在形成用于形成LOCOS结构的沟槽时，会形成一定的半导体衬底的siliconloss的情况，因此，这样得到的LOCOS结构深度可以加深，且要求形成的LOCOS深度大于NPN的N+和P+的结深，并同时对NPN器件结构的制造工艺的影响较小，即，在能够不增加生产成本的同时，避免了因为金属插塞刻蚀波动带来的NPN器件结构的beta参数不稳定的问题。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有第一深阱，且在所述半导体衬底的表面上形成有依次堆叠的氧化物层、氮化物层和硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述氮化物层、氧化物层和部分厚度的半导体衬底，以在形成由刻蚀后的氮化物层、氧化物层组成的多个分立堆叠结构的同时，在相邻所述堆叠结构之间的半导体衬底内形成多个沟槽；在每一所述沟槽内形成场氧隔离结构，并对相邻两个所述场氧隔离结构之间的半导体衬底进行离子注入，以形成NPN结构的集电极、基极和发射极；分别形成用于电性外接所述NPN结构的集电极、基极和发射极的金属插塞，其中所述金属插塞插入所述集电极、基极和发射极所对应的半导体衬底中的深度小于所述场氧隔离结构在所述半导体衬底内的深度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。