恭喜黑龙江省华升石墨集团股份有限公司单丹获国家专利权
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龙图腾网恭喜黑龙江省华升石墨集团股份有限公司申请的专利一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115493404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211172324.4,技术领域涉及:F27B14/10;该发明授权一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚是由单丹;单永宝;李丽娟设计研发完成,并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚在说明书摘要公布了:本发明涉及纯化设备技术领域,具体公开了一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚,包括坩埚锅体和坩埚盖体,所述坩埚盖体可拆卸式装配至坩埚锅体的顶端,所述坩埚锅体的内壁中部设有中空柱,且中空柱的壁体上分布有气孔。本发明在传统的坩埚结构上引入沙漏状的入料机构,在坩埚中部设计成中空凸起形式,随着纯化气体吹入,将粉体快速贴合在坩埚壁体上,中空内壁的石墨材料充分吸收热场温度,增大坩埚表面积,有效解决坩埚内粉体中心温度与边缘温度不一致、纯化气体不容易进入到坩埚内部与杂质反应,粉体内气化杂质难排出的问题,提高纯化粉体纯度等级。
本发明授权一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚在权利要求书中公布了:1.一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚,包括坩埚锅体(100)和坩埚盖体(200),其特征在于,所述坩埚盖体(200)可拆卸式装配至坩埚锅体(100)的顶端,所述坩埚锅体(100)的内壁中部设有中空柱(130),且中空柱(130)的壁体上分布有气孔(140),所述中空柱(130)位于坩埚锅体(100)的底侧为开口结构,且中空柱(130)的底端通入纯化气体;所述中空柱(130)的内部安装有内置件(300),所述坩埚盖体(200)的顶部设有储存件,且储存件用于存储半导体基材粉体材料,所述储存件的底侧设有启闭件(220),且启闭件(220)用于启闭释放半导体基材粉体材料的通道,所述内置件(300)在纯化气体的带动下转动,并带动由储存件释放出的半导体基材粉体材料分布至坩埚锅体(100)的内壁上;所述内置件(300)包括转杆(310)、螺旋盘(320)和伞面盘(330),所述伞面盘(330)安装在转杆(310)的顶部外壁上,转杆(310)的轴线与伞面的竖截面的中心线一致,转杆(310)插接至中空柱(130)的内壁中,所述螺旋盘(320)分布在转杆(310)的外壁上,且螺旋盘(320)绕着转杆(310)的轴线转动在中空柱(130)的内部中;所述伞面盘(330)的竖截面为等腰三角形,伞面盘(330)的外边设有导向缘(340),且导向缘(340)为圆心靠近转杆(310)一侧的倒角结构;所述内置件(300)还包括导向片(350),且导向片(350)分布在伞面盘(330)的上表面上,导向片(350)呈弧形结构,导向片(350)用于半导体基材粉体材料滑动至导向缘(340)处;所述中空柱(130)的顶端内壁安装有密封杆套(360),且转杆(310)的杆端装配至密封杆套(360)的内壁上。
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