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恭喜上海积塔半导体有限公司张洁获国家专利权

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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利一种晶圆背面减薄方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115332056B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211030849.4,技术领域涉及:H01L21/02;该发明授权一种晶圆背面减薄方法是由张洁;刘子泽;刘东栋设计研发完成,并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种晶圆背面减薄方法在说明书摘要公布了:本申请提供了一种晶圆背面减薄方法,包括提供晶圆,在晶圆的边缘包括一与晶圆的110晶向垂直的平边,在晶圆的正面粘贴研磨保护膜,随后将晶圆固定在减薄机台的晶圆支撑盘上,对晶圆的背面进行打磨减薄,得到晶圆减薄片,最后再去除晶圆减薄片正面的研磨保护膜。通过将晶圆的平边设置在与晶圆的110晶向相垂直的方向上,以使晶圆在减薄过程中,平边出现缺口时产生的微裂纹仅在沿平行于平边的方向扩展,而不会扩展至晶圆的中心,避免了在晶圆减薄过程中产生裂片,提高了晶圆背面减薄的良率。

本发明授权一种晶圆背面减薄方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆背面减薄方法,其特征在于,包括:提供晶圆,并于所述晶圆的正面完成器件结构的工艺制备;所述晶圆的边缘还包括一与所述晶圆的110晶向方向相垂直的平边;于所述晶圆的正面沿平行于所述平边的方向粘贴研磨保护膜,用于对晶圆正面的器件结构形成保护;将所述晶圆固定在减薄机台的晶圆支撑盘上,所述晶圆粘贴研磨保护膜的正面与所述晶圆支撑盘接触;所述减薄机台的研磨头对所述晶圆的背面进行打磨减薄,得到晶圆减薄片;去除所述晶圆减薄片正面的研磨保护膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司,其通讯地址为:201306 上海市浦东新区中国上海浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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