恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李宝琴获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光罩与制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115524917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022936.5，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光罩与制造半导体装置的方法是由李宝琴;黄重凯;高克斌;萧清燕设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本光罩与制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种光罩与制造半导体制造的方法，光罩包含多个装置特征、第一辅助特征及第二辅助特征。装置特征在装置区域的图案化区域中。第一辅助特征在图案化区域中且相邻于装置特征。第一辅助特征用于校正光学微影术工艺中的光学近接性效应。第二辅助特征在装置区域的非图案化区域中。第二辅助特征是次级解析校正特征，且第二辅助特征与最接近于第二辅助特征的装置特征中的一者之间的第一距离大于装置特征中的相邻两者之间的第二距离。
本发明授权光罩与制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种光罩，其特征在于，包含：多个主特征，在一装置区域的一图案化区域中；一第一辅助特征，在该图案化区域中且相邻于所述多个主特征，其中该第一辅助特征用于校正一光学微影术工艺中的一光学近接性效应；及一第二辅助特征，在该装置区域的一非图案化区域中，其中该第二辅助特征是一次级解析校正特征，且该第二辅助特征与最接近该第二辅助特征的所述多个主特征中的一者之间的一第一距离大于所述多个主特征中的相邻两者之间的一第二距离，其中所述多个主特征中的一者的一宽度大于该第一辅助特征的一宽度且大于该第二辅助特征的一宽度，其中所述多个主特征中的一者与该第二辅助特征的一距离大于1微米且小于该光罩的一曝光场的一长度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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