恭喜重庆邮电大学陈忱获国家专利权
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龙图腾网恭喜重庆邮电大学申请的专利一种基于高变比耦合电感DC-DC的建模方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115438615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210951665.5,技术领域涉及:G06F30/36;该发明授权一种基于高变比耦合电感DC-DC的建模方法是由陈忱;林云设计研发完成,并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高变比耦合电感DC-DC的建模方法在说明书摘要公布了:本发明请求保护一种基于高变比耦合电感DC‑DC的建模方法。该方法在高变比耦合电感DC‑DC电路精确分析的研究中包含了对漏感以及右半平面零点的影响的考虑,耦合电感升压变换器能够实现高增益或者输入电流纹波较小以及对漏磁电感能量较大的回收率;在考量准确性与复杂度的双重标准下选择电路的三个状态进行分析;在互感耦合高变比电路的动态分析中,采用考虑高变比耦合电感电路初级有漏感的模型来进行建模,得到了直流变比和小信号传输函数的解析式简化控制部分设计。
本发明授权一种基于高变比耦合电感DC-DC的建模方法在权利要求书中公布了:1.一种基于高变比耦合电感DC-DC的建模方法,其特征在于,包括以下步骤:获取耦合电感双升压变换器的四个状态,四个状态分别为:状态1开关S闭合,二极管D1反向偏置,二极管D2正向偏置,电感电流减小,电感电流增大,直到减小为0;状态2此时开关S仍然是闭合的,但是二极管D1和二极管D2都是反向偏置的,输入电压对励磁电感充电,电容C2对负载Ro放电;状态3开关S这时已经断开,二极管D1和二极管D2都是正向偏置,电感电流减小,电感电流增大,直到减小为0;状态4开关仍然是断开的,但是,此时二极管D1反偏,二极管D2正向偏置,此时电感Ls存储的能量一部分给C2充电,一部分给负载Ro充电,放电形成一个闭环回路,选取其中状态2、状态3和状态4进行分析;对耦合电感双升压变换器电路进行稳态分析及小信号分析;采用耦合电感升压直流变换器的拓扑结构消除boost拓扑结构因右半平面零点产生的负调现象的影响;在互感耦合高变比电路的动态分析中,采用考虑高变比耦合电感电路初级有漏感的模型来进行建模,得到了直流变比和小信号传输函数的解析式。
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